Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - ценерови - единични

  • У дома
  •  
  • Диоди - ценерови - единични
CDZVT2R20B
Rohm Semiconductor

CDZVT2R20B

Част запас: 134433

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 20V, Мощност - Макс: 100mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 15V,

Списък с желания
TFZVTR20B
Rohm Semiconductor

TFZVTR20B

Част запас: 118250

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 20V, Мощност - Макс: 500mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 28 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 200nA @ 15V,

Списък с желания
CDZVT2R6.2B
Rohm Semiconductor

CDZVT2R6.2B

Част запас: 143836

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 6.2V, Мощност - Макс: 100mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 1µA @ 3V,

Списък с желания
VDZT2R3.6B
Rohm Semiconductor

VDZT2R3.6B

Част запас: 125170

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 3.6V, Толерантност: ±3%, Мощност - Макс: 100mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 1V,

Списък с желания
TFZVTR22B
Rohm Semiconductor

TFZVTR22B

Част запас: 170809

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 22V, Мощност - Макс: 500mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 200nA @ 17V,

Списък с желания
VDZT2R9.1B
Rohm Semiconductor

VDZT2R9.1B

Част запас: 193367

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 9.1V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 100mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 500nA @ 6V,

Списък с желания
TFZVTR27B
Rohm Semiconductor

TFZVTR27B

Част запас: 162771

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 27V, Мощност - Макс: 500mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 200nA @ 21V,

Списък с желания
TFZVTR33B
Rohm Semiconductor

TFZVTR33B

Част запас: 197025

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 33V, Толерантност: ±3%, Мощност - Макс: 500mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 65 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 200nA @ 25V,

Списък с желания
VDZT2R30B
Rohm Semiconductor

VDZT2R30B

Част запас: 177041

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 30V, Толерантност: ±3%, Мощност - Макс: 100mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 23V,

Списък с желания
TFZVTR5.1B
Rohm Semiconductor

TFZVTR5.1B

Част запас: 124493

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 5.1V, Мощност - Макс: 500mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 1.5V,

Списък с желания
VDZT2R4.3B
Rohm Semiconductor

VDZT2R4.3B

Част запас: 142474

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 4.3V, Толерантност: ±3%, Мощност - Макс: 100mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 1V,

Списък с желания
TFZVTR3.9B
Rohm Semiconductor

TFZVTR3.9B

Част запас: 161152

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 3.9V, Толерантност: ±4%, Мощност - Макс: 500mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 1V,

Списък с желания
CDZVT2R2.4B
Rohm Semiconductor

CDZVT2R2.4B

Част запас: 160784

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 2.4V, Мощност - Макс: 100mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 120µA @ 1V,

Списък с желания
VDZT2R2.4B
Rohm Semiconductor

VDZT2R2.4B

Част запас: 142315

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 2.4V, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
TFZVTR10B
Rohm Semiconductor

TFZVTR10B

Част запас: 106678

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 10V, Мощност - Макс: 500mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 200nA @ 7V,

Списък с желания
VDZT2R4.7B
Rohm Semiconductor

VDZT2R4.7B

Част запас: 176518

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 4.7V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 100mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 2µA @ 1V,

Списък с желания
TFZVTR13B
Rohm Semiconductor

TFZVTR13B

Част запас: 140435

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 13V, Толерантност: ±3%, Мощност - Макс: 500mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 200nA @ 10V,

Списък с желания
CDZVT2R15B
Rohm Semiconductor

CDZVT2R15B

Част запас: 181391

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 15V, Мощност - Макс: 100mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 42 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 11V,

Списък с желания
TFZVTR5.6B
Rohm Semiconductor

TFZVTR5.6B

Част запас: 156792

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 5.6V, Мощност - Макс: 500mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 13 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 2.5V,

Списък с желания
CDZVT2R10B
Rohm Semiconductor

CDZVT2R10B

Част запас: 171730

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 10V, Мощност - Макс: 100mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 7V,

Списък с желания
YFZVFHTR4.7B
Rohm Semiconductor

YFZVFHTR4.7B

Част запас: 116

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 4.68V, Толерантност: ±2.67%, Мощност - Макс: 500mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 1V,

Списък с желания
TFZVTR2.4B
Rohm Semiconductor

TFZVTR2.4B

Част запас: 175099

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 2.4V, Мощност - Макс: 500mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 120µA @ 1V,

Списък с желания
CDZFHT2RA11B
Rohm Semiconductor

CDZFHT2RA11B

Част запас: 85

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 10.99V, Толерантност: ±2.09%, Мощност - Макс: 100mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 8V,

Списък с желания
VDZT2R3.9B
Rohm Semiconductor

VDZT2R3.9B

Част запас: 100382

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 3.9V, Толерантност: ±3%, Мощност - Макс: 100mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 1V,

Списък с желания
CDZFHT2RA18B
Rohm Semiconductor

CDZFHT2RA18B

Част запас: 134

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 17.96V, Толерантност: ±2.2%, Мощност - Макс: 100mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 65 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 13V,

Списък с желания
TDZVTR30
Rohm Semiconductor

TDZVTR30

Част запас: 176

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 30V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 500mW, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 21V,

Списък с желания
TDZVTR8.2
Rohm Semiconductor

TDZVTR8.2

Част запас: 144

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 8.2V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 500mW, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 4.9V,

Списък с желания
CDZVT2R4.7B
Rohm Semiconductor

CDZVT2R4.7B

Част запас: 165319

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 4.7V, Мощност - Макс: 100mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 2µA @ 1V,

Списък с желания
YFZVFHTR7.5B
Rohm Semiconductor

YFZVFHTR7.5B

Част запас: 147

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 7.26V, Толерантност: ±2.62%, Мощност - Макс: 500mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 500nA @ 4V,

Списък с желания
TDZVTR13
Rohm Semiconductor

TDZVTR13

Част запас: 173

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 13V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 500mW, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 9V,

Списък с желания
YFZVFHTR3.6B
Rohm Semiconductor

YFZVFHTR3.6B

Част запас: 100

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 3.72V, Толерантност: ±3.29%, Мощност - Макс: 500mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 1V,

Списък с желания
TDZVTR10
Rohm Semiconductor

TDZVTR10

Част запас: 105

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 10V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 500mW, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 6V,

Списък с желания
TFZVTR4.7B
Rohm Semiconductor

TFZVTR4.7B

Част запас: 165730

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 4.7V, Мощност - Макс: 500mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 1V,

Списък с желания
CDZVT2R3.0B
Rohm Semiconductor

CDZVT2R3.0B

Част запас: 101610

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 3V, Мощност - Макс: 100mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 120 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50µA @ 1V,

Списък с желания
VDZT2R15B
Rohm Semiconductor

VDZT2R15B

Част запас: 112875

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 14.7V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 100mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 42 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 11V,

Списък с желания
CDZFHT2RA7.5B
Rohm Semiconductor

CDZFHT2RA7.5B

Част запас: 153

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 7.44V, Толерантност: ±2.15%, Мощност - Макс: 100mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 500nA @ 4V,

Списък с желания