Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Оптични сензори - Отразяващи - Аналогов изход

  • У дома
  •  
  • Оптични сензори - Отразяващи - Аналогов изход
GP2S40JJ000F
Sharp Microelectronics

GP2S40JJ000F

Част запас: 4316

Сензорно разстояние: 0.138" (3.5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
GP2S27T
Sharp Microelectronics

GP2S27T

Част запас: 2691

Сензорно разстояние: 0.031" (0.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
GP2L20R
Sharp Microelectronics

GP2L20R

Част запас: 2748

Сензорно разстояние: 0.512" (13mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

Списък с желания
GP2S24J0000F
Sharp Microelectronics

GP2S24J0000F

Част запас: 4326

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
GP2S40J0000F
Sharp Microelectronics

GP2S40J0000F

Част запас: 2712

Сензорно разстояние: 0.138" (3.5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
GP2L24ABJ00F
Sharp Microelectronics

GP2L24ABJ00F

Част запас: 2712

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

Списък с желания
GP2L26
Sharp Microelectronics

GP2L26

Част запас: 2756

Сензорно разстояние: 0.031" (0.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

Списък с желания
GP2S24BCJ00F
Sharp Microelectronics

GP2S24BCJ00F

Част запас: 2737

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
GP2S27T2J00F
Sharp Microelectronics

GP2S27T2J00F

Част запас: 4345

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
GP2L24
Sharp Microelectronics

GP2L24

Част запас: 4363

Сензорно разстояние: 0.031" (0.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

Списък с желания
GP2S24ABJ00F
Sharp Microelectronics

GP2S24ABJ00F

Част запас: 2735

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
GP2L24J0000F
Sharp Microelectronics

GP2L24J0000F

Част запас: 2726

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

Списък с желания
GP2S27T6J00F
Sharp Microelectronics

GP2S27T6J00F

Част запас: 2679

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
GP2S27TJ000F
Sharp Microelectronics

GP2S27TJ000F

Част запас: 2724

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
GP2S24CJ000F
Sharp Microelectronics

GP2S24CJ000F

Част запас: 2724

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
GP2S60A
Sharp Microelectronics

GP2S60A

Част запас: 2778

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
GP2S27T3J00F
Sharp Microelectronics

GP2S27T3J00F

Част запас: 2727

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
GP2S24
Sharp Microelectronics

GP2S24

Част запас: 4283

Сензорно разстояние: 0.031" (0.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
GP2L24BCJ00F
Sharp Microelectronics

GP2L24BCJ00F

Част запас: 2763

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

Списък с желания
GP2L24BJ00F
Sharp Microelectronics

GP2L24BJ00F

Част запас: 2769

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

Списък с желания
GP2S28
Sharp Microelectronics

GP2S28

Част запас: 2729

Сензорно разстояние: 0.551" (14mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
GP2L24CJ00F
Sharp Microelectronics

GP2L24CJ00F

Част запас: 2708

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

Списък с желания
GP2S24BJ000F
Sharp Microelectronics

GP2S24BJ000F

Част запас: 2701

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
GP2S40
Sharp Microelectronics

GP2S40

Част запас: 2756

Сензорно разстояние: 0.256" (6.5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания