Транзистори - FET, MOSFET - единични

У дома
Транзистори - FET, MOSFET - единични

STMicroelectronics

SCT50N120

Част запас: 1921

FET тип: N-Channel, Технология: SiCFET (Silicon Carbide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 65A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 40A, 20V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STK22N6F3

Част запас: 2311

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 22A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 11A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STD50N03L

Част запас: 5691

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP30NF20

Част запас: 24023

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP2N62K3

Част запас: 50234

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 620V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.2A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.1A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP85NF55L

Част запас: 22719

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STW28NM50N

Част запас: 10124

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 21A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158 mOhm @ 10.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STFI34N65M5

Част запас: 11491

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 28A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 14A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STFI26N60M2

Част запас: 19864

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 11A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STFI6N62K3

Част запас: 33051

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 620V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STF21N90K5

Част запас: 10101

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 900V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 18.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 9A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP15NK50ZFP

Част запас: 16451

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 7A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP5NK60Z

Част запас: 37225

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP77N6F6

Част запас: 41397

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 77A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 38.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP80NF70

Част запас: 31611

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 68V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 98A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 40A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STD80N6F6

Част запас: 83863

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 40A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STL75NH3LL

Част запас: 2236

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP140N6F7

Част запас: 27364

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 40A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STFI9N80K5

Част запас: 28702

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STFI10NK60Z

Част запас: 26244

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 4.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STU65N3LLH5

Част запас: 58586

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 65A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 32.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STFI20NK50Z

Част запас: 16719

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STF8N65M5

Част запас: 26578

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STV160NF03LT4

Част запас: 2329

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 160A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 80A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP75N3LLH6

Част запас: 42414

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 37.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STB4N62K3

Част запас: 6264

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 620V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.8A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 1.9A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STFI6N80K5

Част запас: 28002

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STF12NM50ND

Част запас: 17194

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP4NK60Z

Част запас: 47939

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STF2HNK60Z

Част запас: 45271

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 Ohm @ 1A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP6NK90Z

Част запас: 25272

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 900V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.8A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.9A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP65NF06

Част запас: 38817

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STF12NK60Z

Част запас: 30394

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640 mOhm @ 5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STW12NK90Z

Част запас: 12820

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 900V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880 mOhm @ 5.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STD75N3LLH6

Част запас: 6261

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 37.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STW45N65M5

Част запас: 8283

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 19.5A, 10V,

Списък с желания

2198

«
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
»