Транзистори - FET, MOSFET - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 62

STI16NM50N

Част запас: 5911

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 15A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 7.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STF10NM65N

Част запас: 8716

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 4.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STW13NM60N

Част запас: 5956

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 5.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STD9NM50N-1

Част запас: 8736

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 3.7A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STD100N03LT4

Част запас: 8682

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 40A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP8N65M5

Част запас: 8760

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STD70N02L-1

Част запас: 8796

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STF40N20

Част запас: 8697

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP25NM60N

Част запас: 8693

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 21A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 10.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STB24NM65N

Част запас: 16481

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 19A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STF4NK50ZD

Част запас: 8726

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP80N70F4

Част запас: 8768

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 68V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 85A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 40A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STK30N2LLH5

Част запас: 8815

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STH210N75F6-2

Част запас: 5944

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 180A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 90A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STD35N3LH5

Част запас: 8786

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STW14NM65N

Част запас: 8779

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STS20N3LLH6

Част запас: 8831

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STFI11N65M2

Част запас: 73192

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670 mOhm @ 3.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP36NF06

Част запас: 63132

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STW13NK50Z

Част запас: 5961

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 6.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STS15N4LLF5

Част запас: 8792

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 15A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 7.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STF6NK70Z

Част запас: 8789

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 700V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

IRF634

Част запас: 8735

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 4A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP8NK85Z

Част запас: 8699

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 850V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6.7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 3.35A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STD8NM60ND

Част запас: 8767

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 3.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STD12NM50N

Част запас: 8743

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STW40N20

Част запас: 8679

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STB9NK70ZT4

Част запас: 8707

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 700V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 4A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP9NK60ZD

Част запас: 8727

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3.5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STB2N62K3

Част запас: 8830

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 620V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.2A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.1A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STB22NS25ZT4

Част запас: 8720

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 22A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 11A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STL100N1VH5

Част запас: 8800

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 12.5A, 4.5V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STW220NF75

Част запас: 8678

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 60A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP4N62K3

Част запас: 8809

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 620V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.8A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 1.9A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STP11NM60N

Част запас: 5905

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5A, 10V,

Списък с желания

STMicroelectronics

STL15N3LLH5

Част запас: 8774

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 15A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 7.5A, 10V,

Списък с желания