Транзистори - FET, MOSFET - масиви

STS5DNF60L

Част запас: 107885

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

STL8DN10LF3

Част запас: 83671

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

STS8DN3LLH5

Част запас: 113246

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

STL7DN6LF3

Част запас: 117469

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

STL8DN6LF3

Част запас: 96103

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

STL40DN3LLH5

Част запас: 125168

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

STS4DPF20L

Част запас: 3125

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

STL20DN10F7

Част запас: 63556

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

STL15DN4F5

Част запас: 56764

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

STL13DP10F6

Част запас: 109384

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 13A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

STS10DN3LH5

Част запас: 127146

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

STS5DPF20L

Част запас: 89710

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

STL20DNF06LAG

Част запас: 155965

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

STL66DN3LLH5

Част запас: 78965

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 78.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

STS4DNF60L

Част запас: 93425

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

STS5DP3LLH6

Част запас: 158516

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

STS8C5H30L

Част запас: 97728

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, 5.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

STS8DN6LF6AG

Част запас: 132133

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

STL36DN6F7

Част запас: 192116

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

STL65DN3LLH5

Част запас: 88941

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 65A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

STS2DNF30L

Част запас: 198813

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

STL40C30H3LL

Част запас: 125159

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 40A, 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

STL50DN6F7

Част запас: 167699

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 57A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

STS3DNE60L

Част запас: 2665

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

STS5DNF20V

Част запас: 2698

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA,

STS1DN45K3

Част запас: 2689

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 450V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 500mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA,

STC5NF20V

Част запас: 3322

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA,

STS2DPF80

Част запас: 2631

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

STS3C2F100

Част запас: 2685

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

STL60N32N3LL

Част запас: 2652

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 32A, 60A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

STS1DNF20

Част запас: 3271

STS4DNF60

Част запас: 2663

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

STS9D8NH3LL

Част запас: 104832

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

STS4C3F60L

Част запас: 2668

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

STC6NF30V

Част запас: 2911

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA,

STS7C4F30L

Част запас: 2694

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A, 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,