Тиристори - SCR | Дискретни полупроводникови продукти | 1

MCR100-8 A1G

Част запас: 229

Напрежение - изключено състояние: 600V, Напрежение - задействане на порта (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - задействане на порта (Igt) (макс.): 200µA, Напрежение - В състояние (Vtm) (Макс): 1.7V, Ток - В състояние на състояние (It (RMS)) (Max): 800mA,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

MCR100-3 A1G

Част запас: 172

Напрежение - изключено състояние: 100V, Напрежение - задействане на порта (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - задействане на порта (Igt) (макс.): 200µA, Напрежение - В състояние (Vtm) (Макс): 1.7V, Ток - В състояние на състояние (It (RMS)) (Max): 800mA,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

MCR100-7 A1G

Част запас: 169

Напрежение - изключено състояние: 500V, Напрежение - задействане на порта (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - задействане на порта (Igt) (макс.): 200µA, Напрежение - В състояние (Vtm) (Макс): 1.7V, Ток - В състояние на състояние (It (RMS)) (Max): 800mA,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

MCR100-6 A1G

Част запас: 265

Напрежение - изключено състояние: 400V, Напрежение - задействане на порта (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - задействане на порта (Igt) (макс.): 200µA, Напрежение - В състояние (Vtm) (Макс): 1.7V, Ток - В състояние на състояние (It (RMS)) (Max): 800mA,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

MCR100-5 A1G

Част запас: 255

Напрежение - изключено състояние: 300V, Напрежение - задействане на порта (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - задействане на порта (Igt) (макс.): 200µA, Напрежение - В състояние (Vtm) (Макс): 1.7V, Ток - В състояние на състояние (It (RMS)) (Max): 800mA,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

MCR100-4 A1G

Част запас: 254

Напрежение - изключено състояние: 200V, Напрежение - задействане на порта (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - задействане на порта (Igt) (макс.): 200µA, Напрежение - В състояние (Vtm) (Макс): 1.7V, Ток - В състояние на състояние (It (RMS)) (Max): 800mA,

Списък с желания