Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Памет

BQ2022LPR
Texas Instruments

BQ2022LPR

Част запас: 9450

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EPROM, Технология: EPROM - OTP, Размер на паметта: 1Kb (256b x 4 pages),

Списък с желания
BQ2022DBZR
Texas Instruments

BQ2022DBZR

Част запас: 4767

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EPROM, Технология: EPROM - OTP, Размер на паметта: 1Kb (256b x 4 pages),

Списък с желания
BQ4011YMA-70
Texas Instruments

BQ4011YMA-70

Част запас: 4741

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания
BQ4010YMA-70
Texas Instruments

BQ4010YMA-70

Част запас: 4676

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 64Kb (8K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания
BQ4010MA-85
Texas Instruments

BQ4010MA-85

Част запас: 4669

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 64Kb (8K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 85ns,

Списък с желания
BQ4011MA-100
Texas Instruments

BQ4011MA-100

Част запас: 6536

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 100ns,

Списък с желания
BQ4013YMA-70
Texas Instruments

BQ4013YMA-70

Част запас: 4637

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания
BQ4013YMA-70N
Texas Instruments

BQ4013YMA-70N

Част запас: 4610

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания
BQ4013YMA-85
Texas Instruments

BQ4013YMA-85

Част запас: 4576

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 85ns,

Списък с желания
BQ4014YMB-85
Texas Instruments

BQ4014YMB-85

Част запас: 4559

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 2Mb (256K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 85ns,

Списък с желания
BQ4014MB-85
Texas Instruments

BQ4014MB-85

Част запас: 4557

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 2Mb (256K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 85ns,

Списък с желания
BQ4015YMA-70
Texas Instruments

BQ4015YMA-70

Част запас: 4519

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания
BQ4016YMC-70
Texas Instruments

BQ4016YMC-70

Част запас: 4582

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 8Mb (1M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания
BQ4016MC-70
Texas Instruments

BQ4016MC-70

Част запас: 4506

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 8Mb (1M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания
BQ4015MA-70
Texas Instruments

BQ4015MA-70

Част запас: 4463

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания
BQ4013YMA-120
Texas Instruments

BQ4013YMA-120

Част запас: 2539

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 120ns,

Списък с желания
BQ4010YMA-200
Texas Instruments

BQ4010YMA-200

Част запас: 2541

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 64Kb (8K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 200ns,

Списък с желания
BQ4011LYMA-70N
Texas Instruments

BQ4011LYMA-70N

Част запас: 2402

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания
BQ4011YMA-100
Texas Instruments

BQ4011YMA-100

Част запас: 6082

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 100ns,

Списък с желания
BQ2022LPRE3
Texas Instruments

BQ2022LPRE3

Част запас: 1488

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EPROM, Технология: EPROM - OTP, Размер на паметта: 1Kb (256b x 4 pages),

Списък с желания
BQ4017YMC-70
Texas Instruments

BQ4017YMC-70

Част запас: 671

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 16Mb (2M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания
BQ4014MB-120
Texas Instruments

BQ4014MB-120

Част запас: 622

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 2Mb (256K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 120ns,

Списък с желания
BQ4015MA-85
Texas Instruments

BQ4015MA-85

Част запас: 637

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 85ns,

Списък с желания
BQ4014YMB-120
Texas Instruments

BQ4014YMB-120

Част запас: 578

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 2Mb (256K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 120ns,

Списък с желания
BQ4013YMA-85N
Texas Instruments

BQ4013YMA-85N

Част запас: 602

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 85ns,

Списък с желания
BQ4013MA-85
Texas Instruments

BQ4013MA-85

Част запас: 589

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 85ns,

Списък с желания
BQ4013MA-120
Texas Instruments

BQ4013MA-120

Част запас: 553

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 120ns,

Списък с желания
BQ4011YMA-70N
Texas Instruments

BQ4011YMA-70N

Част запас: 600

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания
BQ4011YMA-200
Texas Instruments

BQ4011YMA-200

Част запас: 546

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 200ns,

Списък с желания
BQ4011YMA-150
Texas Instruments

BQ4011YMA-150

Част запас: 550

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 150ns,

Списък с желания
BQ4011YMA-150N
Texas Instruments

BQ4011YMA-150N

Част запас: 493

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 150ns,

Списък с желания
BQ4011MA-150
Texas Instruments

BQ4011MA-150

Част запас: 555

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 150ns,

Списък с желания
BQ4011MA-200
Texas Instruments

BQ4011MA-200

Част запас: 485

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 200ns,

Списък с желания
BQ4010YMA-85
Texas Instruments

BQ4010YMA-85

Част запас: 551

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 64Kb (8K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 85ns,

Списък с желания
BQ4010YMA-85N
Texas Instruments

BQ4010YMA-85N

Част запас: 447

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 64Kb (8K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 85ns,

Списък с желания
BQ4010YMA-70N
Texas Instruments

BQ4010YMA-70N

Част запас: 486

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 64Kb (8K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

Списък с желания