Транзистори - FET, MOSFET - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 1

XP151A12A2MR

Част запас: 114981

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Списък с желания

Torex Semiconductor Ltd

XP151A13A0MR-G

Част запас: 156410

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Списък с желания

Torex Semiconductor Ltd

XP161A11A1PR-G

Част запас: 195387

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 2A, 10V,

Списък с желания

Torex Semiconductor Ltd

XP161A1265PR-G

Част запас: 195381

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 4.5V,

Списък с желания

Torex Semiconductor Ltd

XP152A11E5MR-G

Част запас: 143778

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 700mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 400mA, 10V,

Списък с желания

Torex Semiconductor Ltd

XP162A11C0PR-G

Част запас: 195352

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 10V,

Списък с желания

Torex Semiconductor Ltd

XP152A12C0MR-G

Част запас: 165085

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 700mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Списък с желания

Torex Semiconductor Ltd

XP151A11B0MR-G

Част запас: 117860

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

Torex Semiconductor Ltd

XP161A1355PR-G

Част запас: 195365

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 4.5V,

Списък с желания

Torex Semiconductor Ltd

XP162A12A6PR-G

Част запас: 195379

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Списък с желания

Torex Semiconductor Ltd

XP152A12C0MR

Част запас: 191478

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 700mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Списък с желания

Torex Semiconductor Ltd

XP161A1265PR

Част запас: 195395

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 4.5V,

Списък с желания

Torex Semiconductor Ltd

XP151A13A0MR

Част запас: 157292

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Списък с желания