Памет | Интегрални схеми (IC) | 3

TC58NVG0S3HBAI4

Част запас: 31647

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: FLASH, Технология: FLASH - NAND (SLC), Размер на паметта: 1Gb (128M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 25ns,

Списък с желания

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HTA00

Част запас: 1188

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: FLASH, Технология: FLASH - NAND (SLC), Размер на паметта: 1Gb (128M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 25ns,

Списък с желания

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG0S3HBAI6

Част запас: 2187

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: FLASH, Технология: FLASH - NAND (SLC), Размер на паметта: 1Gb (128M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 25ns,

Списък с желания

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HBAI4

Част запас: 31568

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: FLASH, Технология: FLASH - NAND (SLC), Размер на паметта: 1Gb (128M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 25ns,

Списък с желания

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HBAI6

Част запас: 33157

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: FLASH, Технология: FLASH - NAND (SLC), Размер на паметта: 1Gb (128M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 25ns,

Списък с желания

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HTA00

Част запас: 33183

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: FLASH, Технология: FLASH - NAND (SLC), Размер на паметта: 1Gb (128M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 25ns,

Списък с желания