Оптични сензори - Фотопрекъсвачи - Тип слот - Тран

OPB890T55

OPB890T55

Част запас: 9681

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB848TXV

OPB848TXV

Част запас: 293

Сензорно разстояние: 0.100" (2.54mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB860N51

OPB860N51

Част запас: 35346

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB8362

OPB8362

Част запас: 6106

Списък с желания
OPB821S5

OPB821S5

Част запас: 5923

Сензорно разстояние: 0.080" (2.03mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB890L11

OPB890L11

Част запас: 5985

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB892L51

OPB892L51

Част запас: 6034

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB882P51Z

OPB882P51Z

Част запас: 6004

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB365P51

OPB365P51

Част запас: 5914

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB881N55Z

OPB881N55Z

Част запас: 5946

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB880L11

OPB880L11

Част запас: 6032

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB892T51

OPB892T51

Част запас: 9654

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB380L55

OPB380L55

Част запас: 9611

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB870L55TX

OPB870L55TX

Част запас: 395

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB865L55

OPB865L55

Част запас: 6052

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB861P51

OPB861P51

Част запас: 6011

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB872P55TX

OPB872P55TX

Част запас: 357

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB871P51TX

OPB871P51TX

Част запас: 327

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB862L55

OPB862L55

Част запас: 5994

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB872N51

OPB872N51

Част запас: 6021

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB892N51

OPB892N51

Част запас: 6031

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB890N55Z

OPB890N55Z

Част запас: 9612

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB875N11

OPB875N11

Част запас: 31579

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB872N51TXV

OPB872N51TXV

Част запас: 317

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB846L51

OPB846L51

Част запас: 9609

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB882L51

OPB882L51

Част запас: 6009

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB882L51Z

OPB882L51Z

Част запас: 5943

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB370L11

OPB370L11

Част запас: 5996

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB844B

OPB844B

Част запас: 5969

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB871T55TX

OPB871T55TX

Част запас: 280

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB881P51

OPB881P51

Част запас: 6069

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB840W51

OPB840W51

Част запас: 6036

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB380P11Z

OPB380P11Z

Част запас: 18765

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB872L55

OPB872L55

Част запас: 40975

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB390N51Z

OPB390N51Z

Част запас: 6023

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
OPB844A

OPB844A

Част запас: 5973

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания