Оптични сензори - Отразяващи - Аналогов изход

OPB609RA

OPB609RA

Част запас: 2752

Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB745

OPB745

Част запас: 27707

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Photodarlington,

Списък с желания
OPB700TX

OPB700TX

Част запас: 320

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB711

OPB711

Част запас: 30414

Сензорно разстояние: 0.080" (2.03mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 24V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB609AX

OPB609AX

Част запас: 2695

Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB70FWZ

OPB70FWZ

Част запас: 16880

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Transistor,

Списък с желания
OPB701

OPB701

Част запас: 2775

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 100mA, Тип изход: Photodarlington,

Списък с желания
OPB700TXV

OPB700TXV

Част запас: 288

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB730

OPB730

Част запас: 10232

Сензорно разстояние: 0.250" (6.35mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

Списък с желания
OPB707C

OPB707C

Част запас: 31623

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 125mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

Списък с желания
OPB704GWZ

OPB704GWZ

Част запас: 21055

Сензорно разстояние: 0.149" (3.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 6mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB745W

OPB745W

Част запас: 2799

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Photodarlington,

Списък с желания
OPB700Z

OPB700Z

Част запас: 9335

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 24V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 100mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB608B

OPB608B

Част запас: 51569

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB608A

OPB608A

Част запас: 51248

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB607A

OPB607A

Част запас: 58586

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 125mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

Списък с желания
OPB701AL

OPB701AL

Част запас: 4490

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 100mA, Тип изход: Photodarlington,

Списък с желания
OPB700AL

OPB700AL

Част запас: 5308

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 24V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 100mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB70CWZ

OPB70CWZ

Част запас: 4369

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Transistor,

Списък с желания
OPB702

OPB702

Част запас: 28577

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB740WZ

OPB740WZ

Част запас: 21977

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB707B

OPB707B

Част запас: 2721

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 125mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

Списък с желания
OPB743

OPB743

Част запас: 35446

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB748WZ

OPB748WZ

Част запас: 16521

Сензорно разстояние: 0.300" (7.62mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Transistor, Base-Emitter Resistor,

Списък с желания
OPB701ALZ

OPB701ALZ

Част запас: 7477

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 100mA, Тип изход: Photodarlington,

Списък с желания
OPB606A

OPB606A

Част запас: 63141

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB704WZ

OPB704WZ

Част запас: 20528

Сензорно разстояние: 0.149" (3.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB745WZ

OPB745WZ

Част запас: 18695

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Photodarlington,

Списък с желания
OPB70BWZ

OPB70BWZ

Част запас: 2782

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Transistor,

Списък с желания
OPB606C

OPB606C

Част запас: 63227

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB750N

OPB750N

Част запас: 17452

Сензорно разстояние: 0.220" (5.59mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 24V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB708

OPB708

Част запас: 33527

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB755N

OPB755N

Част запас: 2717

Сензорно разстояние: 0.220" (5.59mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 24V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB740

OPB740

Част запас: 37779

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB750T

OPB750T

Част запас: 17828

Сензорно разстояние: 0.220" (5.59mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 24V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания
OPB741WZ

OPB741WZ

Част запас: 19773

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

Списък с желания