Сензорно разстояние: 0.157" (4mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 32V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.02" (0.5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 100mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.591" (15mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 70V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 32V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.157" (4mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 32V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.591" (15mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 70V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,