Част запас: 221
FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 15A, 10V,