Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - FET, MOSFET - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - FET, MOSFET - единични
SI1428EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1428EDH-T1-GE3

Част запас: 2301

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.7A, 10V,

Списък с желания
SIS778DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS778DN-T1-GE3

Част запас: 2237

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания
SUM25P10-138-E3
Vishay Siliconix

SUM25P10-138-E3

Част запас: 2130

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16.7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 6A, 10V,

Списък с желания
IRFP360PBF
Vishay Siliconix

IRFP360PBF

Част запас: 17668

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 400V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 23A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 14A, 10V,

Списък с желания
IRFIBC30GPBF
Vishay Siliconix

IRFIBC30GPBF

Част запас: 22948

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 1.5A, 10V,

Списък с желания
SIHF30N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHF30N60E-GE3

Част запас: 21645

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 29A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания
SI5499DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5499DC-T1-GE3

Част запас: 2090

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 8V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

Списък с желания
IRFD9110PBF
Vishay Siliconix

IRFD9110PBF

Част запас: 77098

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 700mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 420mA, 10V,

Списък с желания
SIS626DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS626DN-T1-GE3

Част запас: 2276

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания
SIR494DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR494DP-T1-GE3

Част запас: 75925

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания
SIR798DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR798DP-T1-GE3

Част запас: 6311

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05 Ohm @ 20A, 10V,

Списък с желания
IRF9640STRRPBF
Vishay Siliconix

IRF9640STRRPBF

Част запас: 35879

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.6A, 10V,

Списък с желания
SUD45P04-16P-GE3
Vishay Siliconix

SUD45P04-16P-GE3

Част запас: 2119

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 36A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2 mOhm @ 14A, 20V,

Списък с желания
SI4410BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4410BDY-T1-GE3

Част запас: 148655

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания
IRF830APBF
Vishay Siliconix

IRF830APBF

Част запас: 53105

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 3A, 10V,

Списък с желания
SI4620DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4620DY-T1-GE3

Част запас: 150899

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), 7.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V,

Списък с желания
SI7102DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7102DN-T1-GE3

Част запас: 80934

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V,

Списък с желания
SI1002R-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1002R-T1-GE3

Част запас: 5671

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 610mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Списък с желания
SIB404DK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB404DK-T1-GE3

Част запас: 121441

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 3A, 4.5V,

Списък с желания
SI4396DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4396DY-T1-GE3

Част запас: 6234

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания
IRLZ44SPBF
Vishay Siliconix

IRLZ44SPBF

Част запас: 21719

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 31A, 5V,

Списък с желания
SUM90N04-3M3P-E3
Vishay Siliconix

SUM90N04-3M3P-E3

Част запас: 66360

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 22A, 10V,

Списък с желания
SQD45P03-12_GE3
Vishay Siliconix

SQD45P03-12_GE3

Част запас: 40076

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания
SIB437EDKT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB437EDKT-T1-GE3

Част запас: 139558

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 8V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 3A, 4.5V,

Списък с желания
SI7794DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7794DP-T1-GE3

Част запас: 2382

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 28.6A (Ta), 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания
SQM120P06-07L_GE3
Vishay Siliconix

SQM120P06-07L_GE3

Част запас: 41168

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
SIR774DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR774DP-T1-GE3

Част запас: 2137

Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,

Списък с желания
SIR472DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR472DP-T1-GE3

Част запас: 197213

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13.8A, 10V,

Списък с желания
SI7405BDN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7405BDN-T1-GE3

Част запас: 132127

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 13.5A, 4.5V,

Списък с желания
SI4636DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4636DY-T1-GE3

Част запас: 2164

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания
SI4712DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4712DY-T1-GE3

Част запас: 188239

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14.6A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания
SUP25P10-138-GE3
Vishay Siliconix

SUP25P10-138-GE3

Част запас: 2159

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16.3A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 6A, 10V,

Списък с желания
SUM120N04-1M7L-GE3
Vishay Siliconix

SUM120N04-1M7L-GE3

Част запас: 2166

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
SIR866DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR866DP-T1-GE3

Част запас: 57436

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания
IRF740ASPBF
Vishay Siliconix

IRF740ASPBF

Част запас: 34632

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 400V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

Списък с желания
IRFI720GPBF
Vishay Siliconix

IRFI720GPBF

Част запас: 26997

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 400V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.6A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1.6A, 10V,

Списък с желания