Транзистори - FET, MOSFET - масиви

У дома
Транзистори - FET, MOSFET - масиви

Vishay Siliconix

SI5944DU-T1-E3

Част запас: 2715

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI1016X-T1-E3

Част запас: 2759

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 485mA, 370mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

SI5904DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5904DC-T1-GE3

Част запас: 2807

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Списък с желания

SI9936BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI9936BDY-T1-GE3

Част запас: 2872

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Vishay Siliconix

VQ2001P-2

Част запас: 2875

FET тип: 4 P-Channel, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 600mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 12V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

Списък с желания

SIA911DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA911DJ-T1-GE3

Част запас: 2844

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

SI4814BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4814BDY-T1-E3

Част запас: 3376

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A, 10.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

SI4818DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4818DY-T1-GE3

Част запас: 2835

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.3A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min),

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI7904DN-T1-E3

Част запас: 2818

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 935µA,

Списък с желания

SI5920DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5920DC-T1-GE3

Част запас: 2868

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 8V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

SI5519DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5519DU-T1-GE3

Част запас: 2823

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI1903DL-T1-E3

Част запас: 2791

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 410mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 995 mOhm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI1905DL-T1-E3

Част запас: 2724

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 8V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 570mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI6983DQ-T1-E3

Част запас: 2714

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA,

Списък с желания

Vishay Siliconix

VQ2001P

Част запас: 2906

FET тип: 4 P-Channel, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 600mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 12V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

Списък с желания

SI4947ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4947ADY-T1-GE3

Част запас: 2852

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI1913DH-T1-E3

Част запас: 2766

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 880mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA,

Списък с желания

SI4276DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4276DY-T1-GE3

Част запас: 2851

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Списък с желания

SI3905DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3905DV-T1-GE3

Част запас: 2849

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Списък с желания

SI4913DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4913DY-T1-GE3

Част запас: 2852

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 500µA,

Списък с желания

SI3909DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3909DV-T1-GE3

Част запас: 2826

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA (Min),

Списък с желания

SI4944DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4944DY-T1-GE3

Част запас: 2874

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 12.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

SI4933DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4933DY-T1-GE3

Част запас: 2815

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 500µA,

Списък с желания

SI7909DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7909DN-T1-GE3

Част запас: 2908

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 700µA,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI7844DP-T1-E3

Част запас: 3302

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Списък с желания

SI4567DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4567DY-T1-GE3

Част запас: 2812

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A, 4.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI7214DN-T1-E3

Част запас: 99156

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

SI4532ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4532ADY-T1-E3

Част запас: 139238

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.7A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI5513DC-T1-E3

Част запас: 2794

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.1A, 2.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI5947DU-T1-E3

Част запас: 2793

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SI7909DN-T1-E3

Част запас: 2903

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 700µA,

Списък с желания

SIZ914DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ914DT-T1-GE3

Част запас: 89189

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16A, 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Списък с желания

SI4834BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4834BDY-T1-E3

Част запас: 2745

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Vishay Siliconix

SIB911DK-T1-E3

Част запас: 2804

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

SI7224DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7224DN-T1-GE3

Част запас: 139892

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Списък с желания

SMMB911DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

SMMB911DK-T1-GE3

Част запас: 2878

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

648

«
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
»