Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - ценерови - единични

  • У дома
  •  
  • Диоди - ценерови - единични
BZT52C3V6-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52C3V6-G3-18

Част запас: 192384

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 3.6V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms,

Списък с желания
BZX384B6V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B6V2-G3-18

Част запас: 170009

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 6.2V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 3µA @ 4V,

Списък с желания
BZT52B8V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B8V2-G3-18

Част запас: 123471

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 8.2V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 4.5 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 6V,

Списък с желания
BZT52C6V8-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52C6V8-G3-08

Част запас: 113788

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 6.8V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 4.5 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 3V,

Списък с желания
BZX384B75-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B75-E3-18

Част запас: 166815

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 75V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 255 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 52.5V,

Списък с желания
BZT52C11-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52C11-HE3-18

Част запас: 146314

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 11V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 6 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 8.5V,

Списък с желания
BZX384C18-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C18-HE3-08

Част запас: 169433

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 18V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 12.6V,

Списък с желания
BZX384B3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B3V0-HE3-18

Част запас: 194345

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 3V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 1V,

Списък с желания
BZT52B3V3-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B3V3-HE3-08

Част запас: 106300

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 3.3V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms,

Списък с желания
BZT52B16-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B16-E3-08

Част запас: 145181

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 16V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 13 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 12V,

Списък с желания
BZT52C9V1-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52C9V1-HE3-08

Част запас: 100737

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 9.1V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 4.8 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 7V,

Списък с желания
BZX384C33-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C33-HE3-08

Част запас: 155475

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 33V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 23.1V,

Списък с желания
BZX384B68-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B68-G3-18

Част запас: 171170

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 68V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 240 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 47.6V,

Списък с желания
BZT52C9V1-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52C9V1-HE3-18

Част запас: 189439

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 9.1V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 4.8 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 7V,

Списък с желания
BZX384C30-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C30-HE3-18

Част запас: 154141

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 30V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 21V,

Списък с желания
BZX384B11-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B11-E3-08

Част запас: 129727

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 11V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 8V,

Списък с желания
BZX384B33-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B33-G3-08

Част запас: 163488

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 33V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 23.1V,

Списък с желания
BZX384C51-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C51-E3-08

Част запас: 188946

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 51V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 180 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 35.7V,

Списък с желания
BZX384C16-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C16-E3-18

Част запас: 164587

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 16V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 11.2V,

Списък с желания
BZX384C22-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C22-G3-08

Част запас: 132363

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 22V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 15.4V,

Списък с желания
BZX384B6V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B6V2-HE3-18

Част запас: 126342

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 6.2V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 3µA @ 4V,

Списък с желания
BZT52B5V1-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B5V1-E3-18

Част запас: 193733

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 5.1V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 800mV,

Списък с желания
BZX384B75-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B75-HE3-08

Част запас: 125310

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 75V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 255 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 52.5V,

Списък с желания
BZT52B6V8-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B6V8-HE3-18

Част запас: 153311

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 6.8V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 4.5 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 3V,

Списък с желания
BZX384C9V1-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C9V1-G3-08

Част запас: 195453

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 9.1V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 500nA @ 6V,

Списък с желания
BZT52C33-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52C33-E3-18

Част запас: 185607

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 33V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 25V,

Списък с желания
BZX384B24-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B24-HE3-08

Част запас: 190960

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 24V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 16.8V,

Списък с желания
BZT52B7V5-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B7V5-G3-08

Част запас: 155521

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 7.5V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 4 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 5V,

Списък с желания
BZX384B75-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B75-HE3-18

Част запас: 120827

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 75V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 255 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 52.5V,

Списък с желания
BZX384B3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B3V0-G3-08

Част запас: 130988

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 3V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 1V,

Списък с желания
BZT52B2V4-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B2V4-G3-08

Част запас: 124548

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 2.4V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms,

Списък с желания
BZT52C24-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52C24-E3-18

Част запас: 187654

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 24V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 28 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 18V,

Списък с желания
BZX384B39-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B39-E3-08

Част запас: 149633

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 39V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 130 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 27.3V,

Списък с желания
BZX384C68-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C68-E3-18

Част запас: 166113

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 68V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 240 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 47.6V,

Списък с желания
BZT52B10-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B10-HE3-18

Част запас: 138683

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 10V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 5.2 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 7.5V,

Списък с желания
BZT52C68-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52C68-HE3-18

Част запас: 153378

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 68V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms,

Списък с желания