Диоди - ценерови - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 100

BZT52C6V2-E3-08

Част запас: 149893

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 6.2V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 4.8 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 2V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B7V5-G3-18

Част запас: 119183

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 7.5V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 4 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 5V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C33-G3-08

Част запас: 188550

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 33V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 23.1V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C27-HE3-08

Част запас: 141679

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 27V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 18.9V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B3V0-G3-18

Част запас: 141319

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 3V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B68-G3-08

Част запас: 177183

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 68V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 240 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 47.6V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B10-G3-18

Част запас: 134250

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 10V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 200nA @ 7V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B11-G3-18

Част запас: 181108

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 11V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 8V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B4V7-E3-18

Част запас: 142706

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 4.7V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B13-E3-18

Част запас: 141041

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 13V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 10V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B12-G3-08

Част запас: 184417

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 12V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 9V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B9V1-E3-18

Част запас: 117051

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 9.1V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 500nA @ 6V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B4V3-HE3-18

Част запас: 152264

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 4.3V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B4V3-G3-18

Част запас: 101747

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 4.3V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C3V0-E3-08

Част запас: 104216

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 3V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 1V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52C30-E3-18

Част запас: 178613

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 30V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 22.5V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B51-G3-18

Част запас: 162206

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 51V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 180 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 35.7V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52C68-G3-18

Част запас: 165009

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 68V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52C4V3-HE3-18

Част запас: 110401

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 4.3V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B6V2-E3-08

Част запас: 185389

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 6.2V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 3µA @ 4V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C75-E3-18

Част запас: 190671

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 75V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 255 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 52.5V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B20-E3-08

Част запас: 160209

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 20V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 14V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52C13-E3-18

Част запас: 122704

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 13V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 10V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C5V1-G3-08

Част запас: 198171

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 5.1V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 2µA @ 2V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52C4V7-HE3-18

Част запас: 152318

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 4.7V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C11-G3-18

Част запас: 179446

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 11V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 8V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B27-HE3-08

Част запас: 121325

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 27V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 20V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B33-E3-08

Част запас: 139754

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 33V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 25V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B30-HE3-08

Част запас: 110572

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 30V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 22.5V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B3V0-HE3-18

Част запас: 192020

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 3V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B16-HE3-18

Част запас: 187915

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 16V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 13 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 12V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C3V0-HE3-18

Част запас: 171907

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 3V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 1V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C27-HE3-18

Част запас: 160759

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 27V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 18.9V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B10-HE3-08

Част запас: 105491

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 10V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 200nA @ 7V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52B39-HE3-18

Част запас: 188574

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 39V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 410mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 29V,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B24-E3-08

Част запас: 112008

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 24V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 16.8V,

Списък с желания