Диоди - Изправители - единични

У дома
Диоди - Изправители - единични

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETX06STRR

Част запас: 254

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 24ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETX06-1

Част запас: 208

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 24ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETX06

Част запас: 211

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 24ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETL06FP

Част запас: 5043

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.05V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 250ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETL06-1

Част запас: 239

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.05V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 250ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETL06

Част запас: 254

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.05V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 250ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS16S

Част запас: 167

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 8A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS16STRL

Част запас: 212

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 8A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STRR

Част запас: 190

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 8A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH06S

Част запас: 159

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.4V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH06-1

Част запас: 211

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.4V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH06

Част запас: 220

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.4V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH03

Част запас: 212

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH03S

Част запас: 235

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH03-1

Част запас: 193

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETU04S

Част запас: 171

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 60ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETU04

Част запас: 150

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 60ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100STRL

Част запас: 128

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 720mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRR

Част запас: 5547

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 720mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRL

Част запас: 144

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 720mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10STRL

Част запас: 184

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 8A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS12STRL

Част запас: 175

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 8A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10S

Част запас: 175

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 8A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STRL

Част запас: 126

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 8A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STR

Част запас: 197

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 8A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10STRL

Част запас: 5071

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 270ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12STR

Част запас: 126

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 270ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STR

Част запас: 142

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 140ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STRR

Част запас: 182

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 140ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRR

Част запас: 133

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 140ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRL

Част запас: 164

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 140ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STR

Част запас: 174

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 140ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STRL

Част запас: 100

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 140ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF4NPP

Част запас: 131

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 50A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF1RPP

Част запас: 115

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 50A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05RPP

Част запас: 5075

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 50A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

3600

«
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
»