Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Изправители - единични

  • У дома
  •  
  • Диоди - Изправители - единични
BYW85TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW85TR

Част запас: 190298

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 7.5µs,

Списък с желания
BYW72-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW72-TR

Част запас: 176837

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYM36A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36A-TAP

Част запас: 106977

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYV98-200-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-200-TR

Част запас: 166059

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
BYW73-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW73-TAP

Част запас: 197416

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYM36E-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36E-TR

Част запас: 193761

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.78V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 150ns,

Списък с желания
BYV98-50-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-50-TAP

Част запас: 186896

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
BYT56K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56K-TR

Част запас: 193768

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BY228-13TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228-13TAP

Част запас: 151048

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания
BYW84-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW84-TAP

Част запас: 193746

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 7.5µs,

Списък с желания
BYW172G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW172G-TR

Част запас: 180423

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 9A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYV28-050-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-050-TAP

Част запас: 168824

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 3.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

Списък с желания
BYM36C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36C-TAP

Част запас: 144190

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYV98-150-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-150-TR

Част запас: 180379

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
BY228-15TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228-15TR

Част запас: 184567

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания
BYV28-200-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-200-TR

Част запас: 153910

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 3.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

Списък с желания
BYW178-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW178-TAP

Част запас: 174447

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 60ns,

Списък с желания
BYT56J-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56J-TAP

Част запас: 197427

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYW73-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW73-TR

Част запас: 197470

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYV98-100-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-100-TR

Част запас: 183624

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
BYT56B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56B-TR

Част запас: 145511

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYT56G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56G-TR

Част запас: 111086

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYW84-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW84-TR

Част запас: 193786

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 7.5µs,

Списък с желания
BYW75TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW75TR

Част запас: 190208

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 500V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYV98-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-200-TAP

Част запас: 174443

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
BYT56D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56D-TAP

Част запас: 181104

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYW172F-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW172F-TR

Част запас: 183570

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 9A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYV28-100-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-100-TR

Част запас: 163522

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 3.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

Списък с желания
BYT56B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56B-TAP

Част запас: 149650

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYT78-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT78-TR

Част запас: 181183

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 250ns,

Списък с желания
BY228GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228GP-E3/73

Част запас: 165820

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1500V, Ток - средно коригиран (Io): 2.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 2.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 20µs,

Списък с желания
BYW83-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW83-TR

Част запас: 197398

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 7.5µs,

Списък с желания
BYV98-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-150-TAP

Част запас: 180387

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
BYW76TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW76TAP

Част запас: 186903

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYW82-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW82-TAP

Част запас: 193864

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 7.5µs,

Списък с желания
BYT56A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56A-TAP

Част запас: 101521

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания