Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Изправители - единични

  • У дома
  •  
  • Диоди - Изправители - единични
S1PB-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PB-M3/85A

Част запас: 102892

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.8µs,

Списък с желания
VFT1080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1080S-E3/4W

Част запас: 174822

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 810mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
V4PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V4PAN50-M3/I

Част запас: 104831

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 430mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
VS-2EJH02HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH02HM3/6A

Част запас: 126318

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 930mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания
SS3H10-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3H10-M3/57T

Част запас: 161702

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
VSSB310-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSB310-E3/52T

Част запас: 155893

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1.9A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
VS-3EJU06-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJU06-M3/6B

Част запас: 68

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.35V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
SS1P4-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1P4-M3/85A

Част запас: 124587

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 530mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
V20PW60HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PW60HM3/I

Част запас: 186638

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 660mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
VSSAF5M6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M6-M3/I

Част запас: 97

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 660mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SS22HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS22HE3_A/I

Част запас: 108584

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
RS2DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2DHE3_A/I

Част запас: 136263

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 150ns,

Списък с желания
SS2H9-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2H9-M3/52T

Част запас: 142807

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 90V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 790mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
VS-30BQ100HM3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30BQ100HM3/9AT

Част запас: 193076

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 790mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
V8PA12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PA12HM3/I

Част запас: 71

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 870mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
VSSAF5M10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M10HM3/I

Част запас: 75

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 790mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
VSSAF5M10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M10-M3/I

Част запас: 113

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 790mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
V8PA6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PA6HM3/I

Част запас: 95

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 630mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
VFT3080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3080S-E3/4W

Част запас: 132937

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR440-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR440-E3/54

Част запас: 112080

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.28V @ 4A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания
VS-4ECH06-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ECH06-M3/9AT

Част запас: 187019

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.85V @ 4A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 22ns,

Списък с желания
S5G-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5G-E3/9AT

Част запас: 185690

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2.5µs,

Списък с желания
VI20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20150S-M3/4W

Част запас: 116120

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.43V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SS2PH5-M3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2PH5-M3/84A

Част запас: 113053

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
VS-3EJH02-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJH02-M3/6A

Част запас: 115089

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 930mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 18ns,

Списък с желания
MSS2P2HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

MSS2P2HM3_A/H

Част запас: 125

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
S5A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5A-E3/9AT

Част запас: 115288

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2.5µs,

Списък с желания
VSSAF56HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF56HM3_A/H

Част запас: 66

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 620mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
S1AFM-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFM-M3/6B

Част запас: 128868

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.47µs,

Списък с желания
VS-MBRS130-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRS130-M3/5BT

Част запас: 170173

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 420mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MBRF10100-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF10100-E3/4W

Част запас: 52382

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
VS-3EJU06-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJU06-M3/6A

Част запас: 105188

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.35V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
V20PW45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PW45-M3/I

Част запас: 192774

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 610mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
UF4006-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF4006-M3/54

Част запас: 181020

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания
SE50PABHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE50PABHM3/I

Част запас: 135253

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.16V @ 5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания
GPP20B-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP20B-E3/54

Част запас: 102429

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 2A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания