Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Изправители - единични

  • У дома
  •  
  • Диоди - Изправители - единични
S1AFG-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFG-M3/6A

Част запас: 112349

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.47µs,

Списък с желания
VSSAF3M10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M10-M3/H

Част запас: 100

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 720mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SS10P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P6HM3_A/I

Част запас: 182602

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 7A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 670mV @ 7A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
S1AFK-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFK-M3/6A

Част запас: 171353

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.47µs,

Списък с желания
SS10PH45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10PH45HM3_A/I

Част запас: 141131

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 720mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
V15P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P6HM3_A/I

Част запас: 92

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 620mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
V8P8-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P8-M3/86A

Част запас: 188033

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 660mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
V8P15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P15-M3/H

Част запас: 163

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.08V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
VS-6ESH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH01-M3/86A

Част запас: 177394

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 6A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 940mV @ 6A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 22ns,

Списък с желания
VT5202-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT5202-M3/4W

Част запас: 92742

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SE30PAGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PAGHM3/I

Част запас: 178133

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.16V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.3µs,

Списък с желания
V15P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P8HM3_A/H

Част запас: 164

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 660mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
S4PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PKHM3_A/I

Част запас: 101974

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 4A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2.5µs,

Списък с желания
SB2H100-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2H100-E3/54

Част запас: 180596

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 790mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
V12P15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P15-M3/I

Част запас: 124

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 12A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.08V @ 12A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SS5P9HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P9HM3_A/I

Част запас: 128

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 90V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
V8P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P8HM3_A/H

Част запас: 171

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 660mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SS10P3HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3HM3_A/I

Част запас: 157059

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 560mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
V8PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAL45-M3/I

Част запас: 128585

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 4A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 570mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SS3P6LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P6LHM3_A/H

Част запас: 163508

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
V12P8-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P8-M3/87A

Част запас: 199224

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 4.3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 660mV @ 12A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
V15P12HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P12HM3/H

Част запас: 107

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 810mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
V12P15HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P15HM3/H

Част запас: 128

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 12A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.08V @ 12A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
VSSAF510HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF510HM3/H

Част запас: 142

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
VS-2EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH02-M3/6B

Част запас: 116384

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 930mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания
VSSAF5M12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M12-M3/I

Част запас: 68

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 890mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
VS-2EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH01HM3/6B

Част запас: 103724

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 930mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания
VS-400UR160D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-400UR160D

Част запас: 1361

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io): 400A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.62V @ 1500A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
VS-SD400N20PC
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-SD400N20PC

Част запас: 741

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 2000V, Ток - средно коригиран (Io): 400A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.62V @ 1500A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
VSSAF510-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF510-M3/I

Част запас: 114

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SS1FN6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1FN6-M3/I

Част запас: 103

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 530mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
V10PM12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM12-M3/86A

Част запас: 160229

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io): 3.9A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 830mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
V8PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAN50-M3/I

Част запас: 188473

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 3.7A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 420mV @ 4A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
VSSAF5L45-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5L45-M3/6A

Част запас: 99042

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 3A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 560mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SE30PAG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PAG-M3/I

Част запас: 119037

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.16V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.3µs,

Списък с желания
VSSAF512-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF512-M3/I

Част запас: 67

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания