Транзистори - биполярни (BJT) - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 2

PHE13009,127

Част запас: 95117

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 12A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V,

Списък с желания

WeEn Semiconductors

PHD13003C,412

Част запас: 174370

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V,

Списък с желания

WeEn Semiconductors

PHE13003C,126

Част запас: 104240

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V,

Списък с желания