Сензорно разстояние: 0.315" (8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.472" (12mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.394" (10mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.472" (12mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Reflective, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 100mA, Тип изход: Photodiode,
Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Reflective, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 100mA, Тип изход: Photodiode,
