| Тип | Описание |
| Състояние на частта | Active |
|---|---|
| FET тип | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Функция FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
| Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C | 50A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 50A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 2.5mA (Typ) |
| Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs | 190nC @ 20V |
| Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | 3080pF @ 1000V |
| Мощност - Макс | 350W |
| Работна температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип на монтажа | Chassis Mount |
| Опаковка / калъф | SP1 |
| Пакет с устройства на доставчика | SP1 |
| Статус на RoHS. | RoHS съвместим |
|---|---|
| Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е приложимо |
| Статус на жизнения цикъл | Остарял / край на живота |
| Категория запас | Налични запаси |
