Тип | Описание |
Състояние на частта | Active |
---|---|
FET тип | N-Channel |
Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 1200V |
Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C | 90A (Tc) |
Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 50A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 10mA |
Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs | 161nC @ 20V |
Vgs (макс.) | +25V, -10V |
Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | 2788pF @ 1000V |
Функция FET | - |
Разсейване на мощността (макс.) | 463W (Tc) |
Работна температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип на монтажа | Through Hole |
Пакет с устройства на доставчика | TO-247-3 |
Опаковка / калъф | TO-247-3 |
Статус на RoHS. | RoHS съвместим |
---|---|
Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е приложимо |
Статус на жизнения цикъл | Остарял / край на живота |
Категория запас | Налични запаси |