Тип | Описание |
Състояние на частта | Active |
---|---|
FET тип | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Функция FET | Silicon Carbide (SiC) |
Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C | 193A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 120A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 6mA (Typ) |
Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs | 378nC @ 20V |
Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | 6300pF @ 1000V |
Мощност - Макс | 925W |
Работна температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип на монтажа | Chassis Mount |
Опаковка / калъф | Module |
Пакет с устройства на доставчика | Module |
Статус на RoHS. | RoHS съвместим |
---|---|
Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е приложимо |
Статус на жизнения цикъл | Остарял / край на живота |
Категория запас | Налични запаси |