Тип | Описание |
Състояние на частта | Active |
---|---|
FET тип | P-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 60V |
Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C | 35A (Tc) |
Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs | 53.1nC @ 10V |
Vgs (макс.) | ±20V |
Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | 2569pF @ 30V |
Функция FET | - |
Разсейване на мощността (макс.) | 3.2W |
Работна температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип на монтажа | Surface Mount |
Пакет с устройства на доставчика | TO-252, (D-Pak) |
Опаковка / калъф | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Статус на RoHS. | RoHS съвместим |
---|---|
Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е приложимо |
Статус на жизнения цикъл | Остарял / край на живота |
Категория запас | Налични запаси |