Тип | Описание |
Състояние на частта | Active |
---|---|
FET тип | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 30V |
Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C | 10.4A (Ta) |
Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 10.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs | 45.7nC @ 10V |
Vgs (макс.) | ±12V |
Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | 2296pF @ 15V |
Функция FET | Schottky Diode (Body) |
Разсейване на мощността (макс.) | 1.55W (Ta) |
Работна температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип на монтажа | Surface Mount |
Пакет с устройства на доставчика | 8-SO |
Опаковка / калъф | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Статус на RoHS. | RoHS съвместим |
---|---|
Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е приложимо |
Статус на жизнения цикъл | Остарял / край на живота |
Категория запас | Налични запаси |