| Тип | Описание |
| Състояние на частта | Active |
|---|---|
| FET тип | N-Channel |
| Технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 100V |
| Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C | 500mA (Ta) |
| Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 Ohm @ 50mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 20µA |
| Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.044nC @ 5V |
| Vgs (макс.) | +6V, -4V |
| Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | 8.4pF @ 50V |
| Функция FET | - |
| Разсейване на мощността (макс.) | - |
| Работна температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип на монтажа | Surface Mount |
| Пакет с устройства на доставчика | Die |
| Опаковка / калъф | Die |
| Статус на RoHS. | RoHS съвместим |
|---|---|
| Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е приложимо |
| Статус на жизнения цикъл | Остарял / край на живота |
| Категория запас | Налични запаси |
