| Тип | Описание |
| Състояние на частта | Active |
|---|---|
| FET тип | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Функция FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 80V |
| Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C | 9.5A, 38A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA |
| Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V |
| Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V |
| Мощност - Макс | - |
| Работна температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип на монтажа | Surface Mount |
| Опаковка / калъф | Die |
| Пакет с устройства на доставчика | Die |
| Статус на RoHS. | RoHS съвместим |
|---|---|
| Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е приложимо |
| Статус на жизнения цикъл | Остарял / край на живота |
| Категория запас | Налични запаси |
