| Тип | Описание |
| Състояние на частта | Obsolete |
|---|---|
| FET тип | P-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 20V |
| Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C | 3A (Ta) |
| Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Vgs (макс.) | ±8V |
| Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 10V |
| Функция FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Разсейване на мощността (макс.) | 1.4W (Ta) |
| Работна температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип на монтажа | Surface Mount |
| Пакет с устройства на доставчика | MicroFET 2x2 Thin |
| Опаковка / калъф | 6-UDFN Exposed Pad |
| Статус на RoHS. | RoHS съвместим |
|---|---|
| Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е приложимо |
| Статус на жизнения цикъл | Остарял / край на живота |
| Категория запас | Налични запаси |
