| Тип | Описание |
| Състояние на частта | Active |
|---|---|
| FET тип | 2 N-Channel (Dual) |
| Функция FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C | 50A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
| Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs | 125nC @ 15V |
| Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
| Мощност - Макс | 20mW |
| Работна температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип на монтажа | Chassis Mount |
| Опаковка / калъф | Module |
| Пакет с устройства на доставчика | Module |
| Статус на RoHS. | RoHS съвместим |
|---|---|
| Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е приложимо |
| Статус на жизнения цикъл | Остарял / край на живота |
| Категория запас | Налични запаси |
