Тип | Описание |
Състояние на частта | Active |
---|---|
FET тип | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 60V |
Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C | 130A (Tc) |
Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 150µA |
Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (макс.) | ±20V |
Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | 6530pF @ 25V |
Функция FET | - |
Разсейване на мощността (макс.) | 96W (Tc) |
Работна температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип на монтажа | Surface Mount |
Пакет с устройства на доставчика | DirectFET™ Isometric ME |
Опаковка / калъф | DirectFET™ Isometric ME |
Статус на RoHS. | RoHS съвместим |
---|---|
Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е приложимо |
Статус на жизнения цикъл | Остарял / край на живота |
Категория запас | Налични запаси |