Тип | Описание |
Състояние на частта | Active |
---|---|
FET тип | P-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 12V |
Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C | 6A (Ta) |
Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs | 34nC @ 4.5V |
Vgs (макс.) | ±10V |
Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 6V |
Функция FET | - |
Разсейване на мощността (макс.) | 700mW (Ta) |
Работна температура | 150°C (TJ) |
Тип на монтажа | Surface Mount |
Пакет с устройства на доставчика | TSMT8 |
Опаковка / калъф | 8-SMD, Flat Lead |
Статус на RoHS. | RoHS съвместим |
---|---|
Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е приложимо |
Статус на жизнения цикъл | Остарял / край на живота |
Категория запас | Налични запаси |