| Тип | Описание |
| Състояние на частта | Active |
|---|---|
| FET тип | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 30V |
| Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C | 16A, 46A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 5.85mA |
| Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs | 6.3nC @ 4.5V |
| Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | 1092pF @ 10V |
| Мощност - Макс | 1.7W, 2.5W |
| Работна температура | 150°C (TJ) |
| Тип на монтажа | Surface Mount |
| Опаковка / калъф | 8-PowerSMD, Flat Leads |
| Пакет с устройства на доставчика | HSO8-F3-B |
| Статус на RoHS. | RoHS съвместим |
|---|---|
| Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е приложимо |
| Статус на жизнения цикъл | Остарял / край на живота |
| Категория запас | Налични запаси |
