Тип | Описание |
Състояние на частта | Active |
---|---|
FET тип | N-Channel |
Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 650V |
Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C | 93A (Tc) |
Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.6 mOhm @ 36A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 18.2mA |
Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs | 133nC @ 18V |
Vgs (макс.) | +22V, -4V |
Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | 2208pF @ 500V |
Функция FET | - |
Разсейване на мощността (макс.) | 339W (Tc) |
Работна температура | 175°C (TJ) |
Тип на монтажа | Through Hole |
Пакет с устройства на доставчика | TO-247N |
Опаковка / калъф | TO-247-3 |
Статус на RoHS. | RoHS съвместим |
---|---|
Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е приложимо |
Статус на жизнения цикъл | Остарял / край на живота |
Категория запас | Налични запаси |