Тип | Описание |
Състояние на частта | Active |
---|---|
FET тип | P-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 30V |
Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C | 1.6A (Ta) |
Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs | 3.6nC @ 5V |
Vgs (макс.) | ±20V |
Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Функция FET | Schottky Diode (Isolated) |
Разсейване на мощността (макс.) | 830mW (Ta) |
Работна температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип на монтажа | Surface Mount |
Пакет с устройства на доставчика | 6-TSOP |
Опаковка / калъф | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Статус на RoHS. | RoHS съвместим |
---|---|
Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е приложимо |
Статус на жизнения цикъл | Остарял / край на живота |
Категория запас | Налични запаси |