Тип | Описание |
Състояние на частта | Obsolete |
---|---|
FET тип | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 560V |
Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C | 16A (Tc) |
Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 675µA |
Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (макс.) | ±20V |
Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
Функция FET | - |
Разсейване на мощността (макс.) | 160W (Tc) |
Работна температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип на монтажа | Through Hole |
Пакет с устройства на доставчика | PG-TO262-3-1 |
Опаковка / калъф | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Статус на RoHS. | RoHS съвместим |
---|---|
Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е приложимо |
Статус на жизнения цикъл | Остарял / край на живота |
Категория запас | Налични запаси |