Тип | Описание |
Състояние на частта | Active |
---|---|
FET тип | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
Функция FET | Logic Level Gate |
Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 60V |
Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C | 1.39A, 1.28A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 1.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs | 3.2nC @ 10V |
Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | 166pF @ 40V |
Мощност - Макс | 870mW |
Работна температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип на монтажа | Surface Mount |
Опаковка / калъф | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Пакет с устройства на доставчика | 8-SOP |
Статус на RoHS. | RoHS съвместим |
---|---|
Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е приложимо |
Статус на жизнения цикъл | Остарял / край на живота |
Категория запас | Налични запаси |