Транзистори - FET, MOSFET - RF

PTRA093818NF-V1-R5

Част запас: 128

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 925MHz ~ 960MHz, Печалба: 18dB, Напрежение - Тест: 48V, Настоящ рейтинг: 10µA,

PXAC182908FV-V1-R0

Част запас: 172

CGHV60170D-GP4

Част запас: 68

Тип транзистор: HEMT, Честота: 6GHz, Печалба: 17dB, Напрежение - Тест: 50V,

PTFA041501F-V4-R0

Част запас: 6439

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 420MHz ~ 500MHz, Печалба: 21dB, Напрежение - Тест: 28V, Настоящ рейтинг: 1µA,

PTVA047002EV-V1-R0

Част запас: 141

PXAC192908FV-V1-R250

Част запас: 111

GTVA261701FA-V1-R0

Част запас: 175

GTVA220701FA-V1-R2

Част запас: 108

PXAC201202FC-V2-R0

Част запас: 6448

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 2.2GHz, Печалба: 17dB, Напрежение - Тест: 28V,

PTVA120251EA-V2-R0

Част запас: 400

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Печалба: 17dB, Напрежение - Тест: 50V,

PTAB182002FC-V1-R0

Част запас: 6410

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 1.88GHz, Печалба: 15.5dB, Напрежение - Тест: 28V, Настоящ рейтинг: 10µA,

CGHV40050F

Част запас: 410

Тип транзистор: HEMT, Честота: 0Hz ~ 4GHz, Печалба: 12.5dB, Напрежение - Тест: 50V, Настоящ рейтинг: 6.3A,

PTFA080551E-V4-R0

Част запас: 6375

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 869MHz ~ 960MHz, Печалба: 18.5dB, Напрежение - Тест: 28V, Настоящ рейтинг: 10µA,

CGHV27060MP

Част запас: 700

Тип транзистор: HEMT, Честота: 2.7GHz, Печалба: 16.5dB, Напрежение - Тест: 50V, Настоящ рейтинг: 6.3A,

PTFB192503FL-V2-R250

Част запас: 86

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 1.99GHz, Печалба: 19dB, Напрежение - Тест: 30V,

PTVA093002ND-V1-R5

Част запас: 100

MRF8P9040NBR1

Част запас: 6392

Тип транзистор: LDMOS (Dual), Честота: 960MHz, Печалба: 19.1dB, Напрежение - Тест: 28V,

MRF8P20100HSR3

Част запас: 1578

Тип транзистор: LDMOS (Dual), Честота: 2.03GHz, Печалба: 16dB, Напрежение - Тест: 28V,

MRF8S19140HR3

Част запас: 6429

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 1.96GHz, Печалба: 19.1dB, Напрежение - Тест: 28V,

MRF6VP3091NR1

Част запас: 1575

Тип транзистор: LDMOS (Dual), Честота: 860MHz, Печалба: 22dB, Напрежение - Тест: 50V,

MRF6V10010NR4

Част запас: 1633

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 1.09GHz, Печалба: 25dB, Напрежение - Тест: 50V,

MMRF1314HSR5

Част запас: 191

Тип транзистор: LDMOS (Dual), Честота: 1.4GHz, Печалба: 17.7dB, Напрежение - Тест: 50V,

MRFE6VP61K25HSR6

Част запас: 6340

Тип транзистор: LDMOS (Dual), Честота: 230MHz, Печалба: 24dB, Напрежение - Тест: 50V,

MRF8P9300HSR5

Част запас: 4726

Тип транзистор: LDMOS (Dual), Честота: 960MHz, Печалба: 19.4dB, Напрежение - Тест: 28V,

MHT1008NT1

Част запас: 9320

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 2.4GHz ~ 2.5GHz, Печалба: 18.6dB,

MRF6VP121KHR5

Част запас: 204

Тип транзистор: LDMOS (Dual), Честота: 1.03GHz, Печалба: 20dB, Напрежение - Тест: 50V,

MRF8P29300HR5

Част запас: 4677

Тип транзистор: LDMOS (Dual), Честота: 2.9GHz, Печалба: 13.3dB, Напрежение - Тест: 30V,

MRFE6S8046GNR1

Част запас: 6331

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 894MHz, Печалба: 19.8dB, Напрежение - Тест: 28V,

CLF1G0060S-30U

Част запас: 441

Тип транзистор: HEMT, Честота: 3GHz ~ 3.5GHz, Печалба: 13dB, Напрежение - Тест: 50V,

MAGX-001220-100L00

Част запас: 282

Тип транзистор: HEMT, Честота: 1.2GHz ~ 2GHz, Печалба: 14.8dB, Напрежение - Тест: 50V, Настоящ рейтинг: 4.5A,

MRF137

Част запас: 1730

Тип транзистор: N-Channel, Честота: 150MHz ~ 400MHz, Печалба: 7.7dB ~ 16dB, Напрежение - Тест: 28V, Настоящ рейтинг: 5A, Фигура на шума: 1.5dB,

PD57045TR-E

Част запас: 1916

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 945MHz, Печалба: 14.5dB, Напрежение - Тест: 28V, Настоящ рейтинг: 5A,

PD85035S-E

Част запас: 2997

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 870MHz, Печалба: 17dB, Напрежение - Тест: 13.6V, Настоящ рейтинг: 8A,

SD3932

Част запас: 584

Тип транзистор: 2 N-Channel (Dual), Честота: 123MHz, Печалба: 26.8dB, Напрежение - Тест: 100V, Настоящ рейтинг: 20A,

PD54008TR-E

Част запас: 6850

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 500MHz, Печалба: 11.5dB, Напрежение - Тест: 7.5V, Настоящ рейтинг: 5A,

VRF2933MP

Част запас: 399

Тип транзистор: N-Channel, Честота: 150MHz, Печалба: 25dB, Напрежение - Тест: 50V, Настоящ рейтинг: 2mA,