Транзистори - FET, MOSFET - RF

CGHV96050F1

Част запас: 221

Тип транзистор: HEMT, Честота: 7.9GHz ~ 9.6GHz, Печалба: 17dB, Напрежение - Тест: 40V, Настоящ рейтинг: 13A,

PTFB183404F-V2-R0

Част запас: 109

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 1.88GHz, Печалба: 17dB, Напрежение - Тест: 30V,

PTAB182002FC-V1-R250

Част запас: 146

CGH40006P

Част запас: 1327

Тип транзистор: HEMT, Честота: 0Hz ~ 6GHz, Печалба: 13dB, Напрежение - Тест: 28V, Настоящ рейтинг: 3.5A,

PTFA180701E-V4-R250

Част запас: 6369

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 1.84GHz, Печалба: 16.5dB, Напрежение - Тест: 28V, Настоящ рейтинг: 10µA,

PTFB090901FA-V2-R0

Част запас: 86

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 960MHz, Печалба: 19.5dB, Напрежение - Тест: 28V,

PTFB192503EL-V1-R250

Част запас: 6433

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 1.99GHz, Печалба: 19dB, Напрежение - Тест: 30V,

CGH27030S

Част запас: 1271

Тип транзистор: HEMT, Честота: 6GHz, Печалба: 18.3dB, Напрежение - Тест: 28V,

PTFB182503EL-V1-R250

Част запас: 4644

CGHV14500F

Част запас: 120

Тип транзистор: HEMT, Честота: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Печалба: 17dB, Напрежение - Тест: 50V, Настоящ рейтинг: 36A,

CGHV50200F

Част запас: 106

Тип транзистор: HEMT, Честота: 5GHz, Печалба: 11.8dB, Напрежение - Тест: 40V, Настоящ рейтинг: 17A,

PXFC191507FC-V1-R250

Част запас: 107

PTFB091507FH-V1-R250

Част запас: 140

PTVA123501FC-V1-R250

Част запас: 165

MRF8P20140WHSR3

Част запас: 1061

Тип транзистор: LDMOS (Dual), Честота: 1.88GHz ~ 1.91GHz, Печалба: 16dB, Напрежение - Тест: 28V,

MRF8S21100HR5

Част запас: 6423

Тип транзистор: N-Channel, Честота: 2.17GHz, Печалба: 18.3dB, Напрежение - Тест: 28V,

MRF8P23080HR3

Част запас: 6405

Тип транзистор: LDMOS (Dual), Честота: 2.3GHz, Печалба: 14.6dB, Напрежение - Тест: 28V,

MRFE6VP61K25NR6

Част запас: 504

Тип транзистор: LDMOS (Dual), Честота: 230MHz, Печалба: 23dB, Напрежение - Тест: 50V,

MRFE6VP5150NR1

Част запас: 2790

Тип транзистор: LDMOS (Dual), Честота: 230MHz, Печалба: 26.1dB, Напрежение - Тест: 50V,

ON5448,518

Част запас: 6348

MRF8S26060HSR3

Част запас: 6324

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 2.69GHz, Печалба: 16.3dB, Напрежение - Тест: 28V,

MRF7S21210HSR5

Част запас: 4655

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 2.17GHz, Печалба: 18.5dB, Напрежение - Тест: 28V,

MMRF1304LR5

Част запас: 1532

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 512MHz, Печалба: 25.9dB, Напрежение - Тест: 50V,

MRF8P9300HR6

Част запас: 6371

Тип транзистор: LDMOS (Dual), Честота: 960MHz, Печалба: 19.4dB, Напрежение - Тест: 28V,

SD2932BW

Част запас: 625

PD57006-E

Част запас: 4613

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 945MHz, Печалба: 15dB, Напрежение - Тест: 28V, Настоящ рейтинг: 1A,

PD20010TR-E

Част запас: 5930

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 2GHz, Печалба: 11dB, Напрежение - Тест: 13.6V, Настоящ рейтинг: 5A,

PD57030-E

Част запас: 1706

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 945MHz, Печалба: 14dB, Напрежение - Тест: 28V, Настоящ рейтинг: 4A,

PD85025C

Част запас: 1418

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 945MHz, Печалба: 17.5dB, Напрежение - Тест: 13.6V, Настоящ рейтинг: 7A,

SD57045

Част запас: 1005

Тип транзистор: LDMOS, Честота: 945MHz, Печалба: 15dB, Напрежение - Тест: 28V, Настоящ рейтинг: 5A,

NPT1012B

Част запас: 371

Тип транзистор: HEMT, Честота: 0Hz ~ 4GHz, Печалба: 13dB, Напрежение - Тест: 28V,

UF28150J

Част запас: 309

Тип транзистор: 2 N-Channel (Dual), Честота: 100MHz ~ 500MHz, Печалба: 8dB, Напрежение - Тест: 28V, Настоящ рейтинг: 16A,

CLF1G0035-200PU

Част запас: 159

IXZH10N50L2B

Част запас: 3281

Тип транзистор: N-Channel, Честота: 70MHz, Печалба: 17dB, Напрежение - Тест: 100V, Настоящ рейтинг: 10A,

CE3520K3-C1

Част запас: 117189

Тип транзистор: pHEMT FET, Честота: 20GHz, Печалба: 13.8dB, Напрежение - Тест: 2V, Настоящ рейтинг: 15mA, Фигура на шума: 0.8dB,

PTFB093608SVV2R250XTMA1

Част запас: 637