Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - RF

BFU520VL
NXP USA Inc.

BFU520VL

Част запас: 141854

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 10.5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Печалба: 17.5dB, Мощност - Макс: 450mW,

За желание
BFU550VL
NXP USA Inc.

BFU550VL

Част запас: 150763

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 11GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz, Печалба: 15dB, Мощност - Макс: 450mW,

За желание
BFU530R
NXP USA Inc.

BFU530R

Част запас: 159978

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 11GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Печалба: 21.5dB, Мощност - Макс: 450mW,

За желание
BFU550XRVL
NXP USA Inc.

BFU550XRVL

Част запас: 173707

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 11GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Печалба: 15.5dB, Мощност - Макс: 450mW,

За желание
BFU520XRVL
NXP USA Inc.

BFU520XRVL

Част запас: 112672

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 10.5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Печалба: 17.5dB, Мощност - Макс: 450mW,

За желание
BFU550XAR
NXP USA Inc.

BFU550XAR

Част запас: 101903

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 11GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz, Печалба: 21.5dB, Мощност - Макс: 450mW,

За желание
BFU520XAR
NXP USA Inc.

BFU520XAR

Част запас: 173199

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 10.5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz, Печалба: 20dB, Мощност - Макс: 450mW,

За желание
BFU580QX
NXP USA Inc.

BFU580QX

Част запас: 129653

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 10.5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz, Печалба: 8.5dB, Мощност - Макс: 1W,

За желание
BFU590QX
NXP USA Inc.

BFU590QX

Част запас: 155934

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 8GHz, Печалба: 6.5dB, Мощност - Макс: 2W,

За желание
BFT25,215
NXP USA Inc.

BFT25,215

Част запас: 162781

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 5V, Честота - преход: 2.3GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 5.5dB @ 500MHz, Мощност - Макс: 30mW,

За желание
BFU660F,115
NXP USA Inc.

BFU660F,115

Част запас: 152570

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 5.5V, Честота - преход: 21GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz, Печалба: 12dB ~ 21dB, Мощност - Макс: 225mW,

За желание
BFU520AR
NXP USA Inc.

BFU520AR

Част запас: 179821

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 10GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz, Печалба: 18dB, Мощност - Макс: 450mW,

За желание
BFQ18A,115
NXP USA Inc.

BFQ18A,115

Част запас: 171694

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 18V, Честота - преход: 4GHz, Мощност - Макс: 1W,

За желание
BFU520XRR
NXP USA Inc.

BFU520XRR

Част запас: 104331

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 10.5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz, Печалба: 20dB, Мощност - Макс: 450mW,

За желание
BFU710F,115
NXP USA Inc.

BFU710F,115

Част запас: 105644

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 2.8V, Честота - преход: 43GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz, Мощност - Макс: 136mW,

За желание
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
Infineon Technologies

BFR840L3RHESDE6327XTSA1

Част запас: 193871

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 2.6V, Честота - преход: 75GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz, Печалба: 27dB, Мощност - Макс: 75mW,

За желание
BFR380L3E6327XTMA1
Infineon Technologies

BFR380L3E6327XTMA1

Част запас: 129492

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 9V, Честота - преход: 14GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 2.1dB @ 1.8GHz, Печалба: 7.5dB ~ 16.5dB, Мощност - Макс: 380mW,

За желание
BFR193L3E6327XTMA1
Infineon Technologies

BFR193L3E6327XTMA1

Част запас: 129

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 8GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Печалба: 12.5dB ~ 19dB, Мощност - Макс: 580mW,

За желание
BFR360L3E6765XTMA1
Infineon Technologies

BFR360L3E6765XTMA1

Част запас: 144

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 9V, Честота - преход: 14GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Печалба: 11.5dB ~ 16dB, Мощност - Макс: 210mW,

За желание
BFR460L3E6327XTMA1
Infineon Technologies

BFR460L3E6327XTMA1

Част запас: 158

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 5.8V, Честота - преход: 22GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Печалба: 16dB, Мощност - Макс: 200mW,

За желание
BFP182WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BFP182WE6327HTSA1

Част запас: 7324

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 8GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Печалба: 22dB, Мощност - Макс: 250mW,

За желание
BF799WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BF799WH6327XTSA1

Част запас: 7305

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Честота - преход: 800MHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz, Мощност - Макс: 280mW,

За желание
BFG135AE6327XT
Infineon Technologies

BFG135AE6327XT

Част запас: 7307

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Честота - преход: 6GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Печалба: 9dB ~ 14dB, Мощност - Макс: 1W,

За желание
BF776H6327XTSA1
Infineon Technologies

BF776H6327XTSA1

Част запас: 137870

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 4.7V, Честота - преход: 46GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Печалба: 24dB, Мощност - Макс: 200mW,

За желание
BFP520H6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP520H6327XTSA1

Част запас: 100497

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 3.5V, Честота - преход: 45GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Печалба: 22.5dB, Мощност - Макс: 100mW,

За желание
BFR181E6327HTSA1
Infineon Technologies

BFR181E6327HTSA1

Част запас: 9961

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 8GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Печалба: 18.5dB, Мощност - Макс: 175mW,

За желание
BFP760H6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP760H6327XTSA1

Част запас: 146729

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 4V, Честота - преход: 45GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz, Печалба: 16.5dB ~ 29dB, Мощност - Макс: 240mW,

За желание
BFR340FH6327XTSA1
Infineon Technologies

BFR340FH6327XTSA1

Част запас: 137024

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 9V, Честота - преход: 14GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz, Печалба: 13dB ~ 28dB, Мощност - Макс: 75mW,

За желание
BFP780H6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP780H6327XTSA1

Част запас: 94012

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 6.1V, Честота - преход: 900MHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz, Печалба: 27dB, Мощност - Макс: 600mW,

За желание
BFP840FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP840FESDH6327XTSA1

Част запас: 106450

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 2.6V, Честота - преход: 85GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz, Печалба: 35dB, Мощност - Макс: 75mW,

За желание
BFP420FH6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP420FH6327XTSA1

Част запас: 108175

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 5.5V, Честота - преход: 25GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Печалба: 19.5dB, Мощност - Макс: 160mW,

За желание
BFP843H6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP843H6327XTSA1

Част запас: 125188

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 2.25V, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz, Печалба: 13.5dB ~ 24.5dB, Мощност - Макс: 125mW,

За желание
BFP640ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP640ESDH6327XTSA1

Част запас: 151539

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 4.7V, Честота - преход: 46GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz, Печалба: 7dB ~ 30dB, Мощност - Макс: 200mW,

За желание
BFP840ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP840ESDH6327XTSA1

Част запас: 179204

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 2.25V, Честота - преход: 80GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz, Печалба: 18.5dB, Мощност - Макс: 75mW,

За желание
BFS17NQTA
Diodes Incorporated

BFS17NQTA

Част запас: 161551

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 11V, Честота - преход: 3.2GHz, Мощност - Макс: 310mW,

За желание
BFY90
Central Semiconductor Corp

BFY90

Част запас: 11028

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Честота - преход: 1.4GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 5.5dB @ 800MHz, Печалба: 23dB, Мощност - Макс: 200mW,

За желание