Транзистори - биполярни (BJT) - RF

ON Semiconductor

BF959RL1G

Част запас: 4758

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Честота - преход: 700MHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Мощност - Макс: 625mW,

За желание

ON Semiconductor

BF959G

Част запас: 7162

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Честота - преход: 700MHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Мощност - Макс: 625mW,

За желание

BFR750L3RHE6327XTSA1

Infineon Technologies

BFR750L3RHE6327XTSA1

Част запас: 4729

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 4.7V, Честота - преход: 37GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Печалба: 21dB, Мощност - Макс: 360mW,

За желание

Infineon Technologies

BFP 740F E6327

Част запас: 7178

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 4.7V, Честота - преход: 42GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Печалба: 27.5dB, Мощност - Макс: 160mW,

За желание

Infineon Technologies

BGB 540 E6327

Част запас: 7143

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 3.5V, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Печалба: 16dB ~ 17.5dB, Мощност - Макс: 120mW,

За желание

BFP740E6327HTSA1

Infineon Technologies

BFP740E6327HTSA1

Част запас: 7235

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 4.7V, Честота - преход: 42GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Печалба: 27dB, Мощност - Макс: 160mW,

За желание

Infineon Technologies

BFS 481 E6327

Част запас: 7212

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 8GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Печалба: 20dB, Мощност - Макс: 175mW,

За желание

Infineon Technologies

BFS 483 E6327

Част запас: 7234

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 8GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Печалба: 19dB, Мощност - Макс: 450mW,

За желание

BFS 466L6 E6327

Infineon Technologies

BFS 466L6 E6327

Част запас: 7227

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 5V, 9V, Честота - преход: 22GHz, 14GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Печалба: 12dB ~ 17dB, Мощност - Макс: 200mW, 210mW,

За желание

BFS 469L6 E6327

Infineon Technologies

BFS 469L6 E6327

Част запас: 7177

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 5V, 10V, Честота - преход: 22GHz, 9GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Печалба: 14.5dB, Мощност - Макс: 200mW, 250mW,

За желание

BFS 460L6 E6327

Infineon Technologies

BFS 460L6 E6327

Част запас: 4717

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 5.8V, Честота - преход: 22GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Печалба: 10dB ~ 14.5dB, Мощност - Макс: 200mW,

За желание

BFS 386L6 E6327

Infineon Technologies

BFS 386L6 E6327

Част запас: 7190

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 6V, Честота - преход: 14GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Печалба: 10dB ~ 14.5dB, Мощност - Макс: 210mW, 380mW,

За желание

BFS 380L6 E6327

Infineon Technologies

BFS 380L6 E6327

Част запас: 7176

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 9V, Честота - преход: 14GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Печалба: 8dB ~ 12dB, Мощност - Макс: 380mW,

За желание

Infineon Technologies

BFS 17P E6433

Част запас: 7154

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Честота - преход: 1.4GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz, Мощност - Макс: 280mW,

За желание

Infineon Technologies

BFR 949T E6327

Част запас: 7189

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 10V, Честота - преход: 9GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Печалба: 20dB, Мощност - Макс: 250mW,

За желание

BFR 949L3 E6327

Infineon Technologies

BFR 949L3 E6327

Част запас: 7148

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 10V, Честота - преход: 9GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Печалба: 21.5dB, Мощност - Макс: 250mW,

За желание

Infineon Technologies

BFR 93AW E6327

Част запас: 7172

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 6GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Печалба: 10.5dB ~ 15.5dB, Мощност - Макс: 300mW,

За желание

Infineon Technologies

BFR 92W E6327

Част запас: 7218

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Честота - преход: 5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Печалба: 11.5dB ~ 17dB, Мощност - Макс: 280mW,

За желание

BFR 740L3 E6327

Infineon Technologies

BFR 740L3 E6327

Част запас: 7194

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 4.7V, Честота - преход: 42GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Печалба: 24dB, Мощност - Макс: 160mW,

За желание

Infineon Technologies

BFR 380T E6327

Част запас: 7187

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 9V, Честота - преход: 14GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Печалба: 12.5dB, Мощност - Макс: 380mW,

За желание

Infineon Technologies

BFR 360T E6327

Част запас: 7217

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 9V, Честота - преход: 14GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Печалба: 13.5dB, Мощност - Макс: 210mW,

За желание

BFR 360L3 E6327

Infineon Technologies

BFR 360L3 E6327

Част запас: 7224

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 9V, Честота - преход: 14GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Печалба: 11.5dB ~ 16dB, Мощност - Макс: 210mW,

За желание

Infineon Technologies

BFR 340T E6327

Част запас: 7144

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 9V, Честота - преход: 14GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz, Печалба: 15dB, Мощност - Макс: 60mW,

За желание

Infineon Technologies

BFR 183T E6327

Част запас: 7186

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 8GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Печалба: 19.5dB, Мощност - Макс: 250mW,

За желание

Infineon Technologies

BFR 182T E6327

Част запас: 7229

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 8GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Печалба: 20dB, Мощност - Макс: 250mW,

За желание

Infineon Technologies

BFR 181T E6327

Част запас: 5478

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 8GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Печалба: 19.5dB, Мощност - Макс: 175mW,

За желание

Infineon Technologies

BFR 182 B6663

Част запас: 7220

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 8GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Печалба: 12dB ~ 18dB, Мощност - Макс: 250mW,

За желание

Infineon Technologies

BFR 181 E6780

Част запас: 7187

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 8GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Печалба: 18.5dB, Мощност - Макс: 175mW,

За желание

Infineon Technologies

BFP 620F E7764

Част запас: 7181

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 2.8V, Честота - преход: 65GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Печалба: 21dB, Мощност - Макс: 185mW,

За желание

BFP405E6433HTMA1

Infineon Technologies

BFP405E6433HTMA1

Част запас: 7182

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 5V, Честота - преход: 25GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Печалба: 23dB, Мощност - Макс: 75mW,

За желание

BFP420E6433HTMA1

Infineon Technologies

BFP420E6433HTMA1

Част запас: 7168

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 5V, Честота - преход: 25GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Печалба: 21dB, Мощност - Макс: 160mW,

За желание

Infineon Technologies

BFP 196R E6501

Част запас: 7195

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7.5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Печалба: 10.5dB ~ 16.5dB, Мощност - Макс: 700mW,

За желание

Infineon Technologies

BFG 235 E6327

Част запас: 7172

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Честота - преход: 5.5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.7dB @ 900MHz, Печалба: 12.5dB, Мощност - Макс: 2W,

За желание

Infineon Technologies

BFG 196 E6327

Част запас: 7184

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7.5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Печалба: 9dB ~ 14.5dB, Мощност - Макс: 800mW,

За желание

Infineon Technologies

BFG 19S E6327

Част запас: 7142

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Честота - преход: 5.5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Печалба: 14dB ~ 8.5dB, Мощност - Макс: 1W,

За желание

Infineon Technologies

BFG 193 E6433

Част запас: 7137

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 8GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Печалба: 10.5dB ~ 16dB, Мощност - Макс: 600mW,

За желание

1476

«
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
»