Транзистори - биполярни (BJT) - RF

MRF5812M

Част запас: 5533

MRF5812MR2

Част запас: 7279

JANS2N2857UB-LC

Част запас: 4803

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Фигура на шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Печалба: 21dB, Мощност - Макс: 200mW,

SD1419-06H

Част запас: 7341

MS2341

Част запас: 7288

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 65V, Честота - преход: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Печалба: 9dB, Мощност - Макс: 87.5W,

JAN2N4957

Част запас: 7284

Тип транзистор: PNP, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Фигура на шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Печалба: 25dB, Мощност - Макс: 200mW,

MSC72111H

Част запас: 7267

SD8002-01H

Част запас: 7301

MSC74070

Част запас: 7353

MS1579

Част запас: 7203

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Честота - преход: 470MHz ~ 860MHz, Печалба: 8.5dB, Мощност - Макс: 65W,

MS2874

Част запас: 7302

MS2200A

Част запас: 7286

MDS500L

Част запас: 199

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 70V, Честота - преход: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Печалба: 9.2dB, Мощност - Макс: 833W,

JAN2N2857UB

Част запас: 1258

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Фигура на шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Печалба: 21dB, Мощност - Макс: 200mW,

MS1015D

Част запас: 7280

MS2279

Част запас: 7291

DME375A

Част запас: 319

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V, Честота - преход: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Печалба: 6.5dB, Мощност - Макс: 375W,

MRF5812G

Част запас: 7287

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Честота - преход: 5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Печалба: 13dB ~ 15.5dB, Мощност - Макс: 1.25W,

UPA812T-A

Част запас: 7182

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 10V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Печалба: 12dB, Мощност - Макс: 200mW,

NE68030-T1-R45-A

Част запас: 7208

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 10V, Честота - преход: 10GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Печалба: 9.4dB, Мощност - Макс: 150mW,

NE68033-T1B-A

Част запас: 7187

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 10V, Честота - преход: 10GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Печалба: 9dB, Мощност - Макс: 200mW,

NESG270034-T1-AZ

Част запас: 7214

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 9.2V, Мощност - Макс: 1.9W,

NESG260234-T1-AZ

Част запас: 7195

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 9.2V, Мощност - Макс: 1.9W,

NE46234-T1-SE-AZ

Част запас: 7195

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 6GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 2.3dB @ 1GHz, Печалба: 8.3dB, Мощност - Макс: 1.8W,

NE85633-R25-A

Част запас: 7175

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Печалба: 11.5dB, Мощност - Макс: 200mW,

CMPT918 TR

Част запас: 135732

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Честота - преход: 600MHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Печалба: 11dB, Мощност - Макс: 350mW,

PN3563

Част запас: 162770

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V,

DSC5G0200L

Част запас: 181235

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Честота - преход: 650MHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, Печалба: 24dB, Мощност - Макс: 150mW,

MMBTH10-7-F

Част запас: 129901

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Честота - преход: 650MHz, Мощност - Макс: 300mW,

MMBTH10-4LT1

Част запас: 4810

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Честота - преход: 800MHz, Мощност - Макс: 225mW,

MCH4016-TL-H

Част запас: 146016

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 10GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Печалба: 18dB, Мощност - Макс: 350mW,

NSVF4017SG4T1G

Част запас: 9938

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 10GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Печалба: 17dB, Мощност - Макс: 450mW,

PH3134-9L

Част запас: 7245

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Печалба: 8dB, Мощност - Макс: 9W,

MAPRST0912-350

Част запас: 249

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 65V, Честота - преход: 1.215GHz, Печалба: 9.4dB, Мощност - Макс: 350W,

PH3134-11S

Част запас: 4779

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Печалба: 8dB, Мощност - Макс: 11W,

LPT16ED

Част запас: 3181

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 4V, Честота - преход: 16GHz, Печалба: 5.2dB, Мощност - Макс: 250mW,