Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Токоизправители - Масиви

80CNQ035ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ035ASM

Част запас: 3642

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 520mV @ 40A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
81CNQ035ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035ASM

Част запас: 3654

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 740mV @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
81CNQ035ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035ASL

Част запас: 3668

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 740mV @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
80CPQ020
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CPQ020

Част запас: 3686

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 460mV @ 40A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
85CNQ015A
Vishay Semiconductor Diodes Division

85CNQ015A

Част запас: 3599

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 15V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
82CNQ030ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030ASL

Част запас: 3616

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
83CNQ100A
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ100A

Част запас: 3587

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
82CNQ030A
Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030A

Част запас: 3557

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
80CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045ASL

Част запас: 3588

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 520mV @ 40A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
80CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045A

Част запас: 3592

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 520mV @ 40A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT30D30BCTG
Microsemi Corporation

APT30D30BCTG

Част запас: 10437

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APTDF400KK170G
Microsemi Corporation

APTDF400KK170G

Част запас: 532

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1700V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 480A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 400A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT2X30D100J
Microsemi Corporation

APT2X30D100J

Част запас: 3175

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 28A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.3V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT2X31D20J
Microsemi Corporation

APT2X31D20J

Част запас: 3498

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT2X30DQ60J
Microsemi Corporation

APT2X30DQ60J

Част запас: 3829

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.2V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT2X61DQ100J
Microsemi Corporation

APT2X61DQ100J

Част запас: 3118

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.8V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT2X101D30J
Microsemi Corporation

APT2X101D30J

Част запас: 2748

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT2X21DC60J
Microsemi Corporation

APT2X21DC60J

Част запас: 1164

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 20A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

За желание
APT2X60D60J
Microsemi Corporation

APT2X60D60J

Част запас: 3356

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT2X100DQ60J
Microsemi Corporation

APT2X100DQ60J

Част запас: 3407

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.2V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT2X31D120J
Microsemi Corporation

APT2X31D120J

Част запас: 2782

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT2X50DC60J
Microsemi Corporation

APT2X50DC60J

Част запас: 739

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 50A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 50A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

За желание
APTDF400KK20G
Microsemi Corporation

APTDF400KK20G

Част запас: 842

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 400A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT2X101D100J
Microsemi Corporation

APT2X101D100J

Част запас: 2286

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 95A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT30DQ120BCTG
Microsemi Corporation

APT30DQ120BCTG

Част запас: 179

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3.3V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT2X31D100J
Microsemi Corporation

APT2X31D100J

Част запас: 3191

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 28A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.3V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT2X61D120J
Microsemi Corporation

APT2X61D120J

Част запас: 2464

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 53A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT2X60D120J
Microsemi Corporation

APT2X60D120J

Част запас: 2442

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 53A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT2X61D20J
Microsemi Corporation

APT2X61D20J

Част запас: 3266

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT2X60DQ120J
Microsemi Corporation

APT2X60DQ120J

Част запас: 3220

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3.1V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT2X101D120J
Microsemi Corporation

APT2X101D120J

Част запас: 1994

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 93A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT2X151DL60J
Microsemi Corporation

APT2X151DL60J

Част запас: 2375

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT2X100D100J
Microsemi Corporation

APT2X100D100J

Част запас: 2278

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 95A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
APT30D20BCTG
Microsemi Corporation

APT30D20BCTG

Част запас: 14745

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
ACDST-70-G
Comchip Technology

ACDST-70-G

Част запас: 114940

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 70V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

За желание
ACDST-99-G
Comchip Technology

ACDST-99-G

Част запас: 123192

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 70V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

За желание