Диоди - Токоизправители - Масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 100

APT2X101S20J

Част запас: 2725

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT15DQ60BCTG

Част запас: 20940

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.4V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT2X20DC60J

Част запас: 1426

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 20A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT60DQ60BCTG

Част запас: 11515

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.4V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT2X21DC120J

Част запас: 1510

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 20A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT2X60D30J

Част запас: 4471

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT30D100BCAG

Част запас: 4419

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 18A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.3V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT10SCD65KCT

Част запас: 7652

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 17A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 10A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT2X60DC120J

Част запас: 647

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 60A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT2X40DC120J

Част запас: 910

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 40A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT2X40DC60J

Част запас: 4083

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 40A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT2X31DC120J

Част запас: 4104

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 30A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT2X30DC120J

Част запас: 4162

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 30A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT2X20DC120J

Част запас: 1523

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 20A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APTDC902U601G

Част запас: 4122

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 90A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 90A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT10SCD120BCT

Част запас: 3952

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 36A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 10A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT2X150DL60J

Част запас: 2369

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT2X41DC120J

Част запас: 952

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 40A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT2X50DC120J

Част запас: 777

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 50A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 50A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT60DQ120LCTG

Част запас: 3868

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3.3V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT8DQ60KCTG

Част запас: 3871

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.4V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT60D30LCTG

Част запас: 3895

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT60D20LCTG

Част запас: 3885

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT40DQ120BCTG

Част запас: 4438

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3.3V @ 40A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT40DQ100BCTG

Част запас: 3858

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3V @ 40A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT30DS60BG

Част запас: 6132

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 4V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT30DQ100BCTG

Част запас: 3860

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT2X60DQ60J

Част запас: 4074

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.3V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT2X60D40J

Част запас: 3544

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT2X60D20J

Част запас: 3886

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT2X30D40J

Част запас: 4128

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT2X30D30J

Част запас: 4064

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT2X100D30J

Част запас: 3857

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

APT2X100D40J

Част запас: 2926

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Comchip Technology

ACDSV6-4448TI-G

Част запас: 143494

Диодна конфигурация: 3 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

За желание

Comchip Technology

ACDST6-4448TI-G

Част запас: 4514

Диодна конфигурация: 3 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 75V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

За желание