Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Токоизправители - Масиви

FST10020
GeneSiC Semiconductor

FST10020

Част запас: 1563

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR300150CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR300150CTR

Част запас: 1446

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MUR40060CTR
GeneSiC Semiconductor

MUR40060CTR

Част запас: 1286

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 125A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MUR2X100A12
GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A12

Част запас: 3213

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.35V @ 100A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR2X160A120
GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A120

Част запас: 2552

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 160A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 160A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MURT20040
GeneSiC Semiconductor

MURT20040

Част запас: 1224

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.35V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MURT20005R
GeneSiC Semiconductor

MURT20005R

Част запас: 1264

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR60080CT
GeneSiC Semiconductor

MBR60080CT

Част запас: 795

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR30045CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR30045CTR

Част запас: 1429

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR50020CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR50020CTR

Част запас: 1148

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBRT50040
GeneSiC Semiconductor

MBRT50040

Част запас: 1070

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MSRTA300100(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRTA300100(A)D

Част запас: 1265

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 300A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBRT400150R
GeneSiC Semiconductor

MBRT400150R

Част запас: 1842

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR12030CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR12030CTR

Част запас: 1542

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
VT3060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060C-M3/4W

Част запас: 101161

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
VT1045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT1045C-M3/4W

Част запас: 129871

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
V40100G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40100G-E3/4W

Част запас: 75843

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 810mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
V12WM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12WM100C-M3/I

Част запас: 129155

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 6A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 6A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
VF40150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40150C-E3/4W

Част запас: 55592

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.43V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
V60D120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V60D120CHM3/I

Част запас: 60897

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 960mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
VF20120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20120C-E3/4W

Част запас: 78055

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 900mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
VFT10202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT10202C-M3/4W

Част запас: 110034

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
V20PW15C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PW15C-M3/I

Част запас: 198027

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.24V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
M3060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

M3060C-E3/4W

Част запас: 92762

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 720mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
V20PWM10C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PWM10C-M3/I

Част запас: 165903

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 820mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
VIT2080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2080C-E3/4W

Част запас: 124012

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 810mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MF150C06F2-BP
Micro Commercial Co

MF150C06F2-BP

Част запас: 2098

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
LQA30T150C
Power Integrations

LQA30T150C

Част запас: 43099

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
LQA30B200C
Power Integrations

LQA30B200C

Част запас: 26345

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
DD98N25KHPSA1
Infineon Technologies

DD98N25KHPSA1

Част запас: 59

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 2500V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 98A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.53V @ 300A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
DD89N18KHPSA1
Infineon Technologies

DD89N18KHPSA1

Част запас: 110

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1800V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 89A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 300A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
STPS640CBY-TR
STMicroelectronics

STPS640CBY-TR

Част запас: 109388

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 630mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
STPS3045CGY-TR
STMicroelectronics

STPS3045CGY-TR

Част запас: 71830

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 570mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBRF4080CTL
SMC Diode Solutions

MBRF4080CTL

Част запас: 180945

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBRF3040CT
SMC Diode Solutions

MBRF3040CT

Част запас: 172747

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
SRF2090 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2090 C0G

Част запас: 130

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 90V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание