Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Токоизправители - Масиви

MBRD660CTG
ON Semiconductor

MBRD660CTG

Част запас: 81424

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
NRVHP820MFDT3G
ON Semiconductor

NRVHP820MFDT3G

Част запас: 69

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.05V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBRT300200R
GeneSiC Semiconductor

MBRT300200R

Част запас: 1564

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR400150CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR400150CTR

Част запас: 1548

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBRT300150R
GeneSiC Semiconductor

MBRT300150R

Част запас: 1563

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR200100CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTR

Част запас: 1533

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR40080CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR40080CTR

Част запас: 1212

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR20060CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR20060CTR

Част запас: 1519

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR2X050A045
GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A045

Част запас: 3870

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 50A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBRT40045R
GeneSiC Semiconductor

MBRT40045R

Част запас: 1156

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR2X100A200
GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A200

Част запас: 3030

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR200150CT
GeneSiC Semiconductor

MBR200150CT

Част запас: 1552

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MURT20020
GeneSiC Semiconductor

MURT20020

Част запас: 1213

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR600100CT
GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

Част запас: 972

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MSRT200140(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)D

Част запас: 1324

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 200A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR500100CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR500100CTR

Част запас: 1192

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR2X100A120
GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A120

Част запас: 3096

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBRT12035
GeneSiC Semiconductor

MBRT12035

Част запас: 1844

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MUR30060CT
GeneSiC Semiconductor

MUR30060CT

Част запас: 1342

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR12030CT
GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

Част запас: 1491

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
FST160150
GeneSiC Semiconductor

FST160150

Част запас: 1636

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 80A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 80A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
V30DM120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120CHM3/I

Част запас: 100592

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 970mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
VT2060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2060C-M3/4W

Част запас: 109388

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
VT3060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060G-E3/4W

Част запас: 128134

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 730mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
VFT2045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2045CBP-M3/4W

Част запас: 102836

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
VIT4060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4060C-M3/4W

Част запас: 67167

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 620mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
V40PW60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60C-M3/I

Част запас: 116952

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 680mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
VFT3060G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060G-M3/4W

Част запас: 121490

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 730mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
VIT6045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT6045C-M3/4W

Част запас: 47709

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 640mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
V20M120M-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20M120M-E3/4W

Част запас: 159782

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.01V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
V40120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40120C-M3/4W

Част запас: 58911

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
V20202G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20202G-M3/4W

Част запас: 40301

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR1090CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1090CT-E3/4W

Част запас: 120106

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 90V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 850mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
UGF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006GHC0G

Част запас: 157

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR20200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200CTHC0G

Част запас: 152

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.23V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
GHXS010A060S-D3
Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D3

Част запас: 3747

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание