Диоди - Токоизправители - Масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 100

MBR1060CT C0G

Част запас: 72

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 900mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1620CTHC0G

Част запас: 168

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 975mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1035CTHC0G

Част запас: 164

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR40150PT C0G

Част запас: 98

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.01V @ 40A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1004HC0G

Част запас: 158

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1003 C0G

Част запас: 151

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1606HC0G

Част запас: 158

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 8A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1004G C0G

Част запас: 107

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20150CTHC0G

Част запас: 137

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.23V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

SR10150HC0G

Част запас: 126

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1550CTHC0G

Част запас: 162

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 7.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L60CTHC0G

Част запас: 167

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30150PT C0G

Част запас: 72

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.02V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF20150 C0G

Част запас: 144

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.02V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20L100CT C0G

Част запас: 97

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 850mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR15100CTHC0G

Част запас: 75

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 7.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2004GHC0G

Част запас: 161

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2090CTHMNG

Част запас: 78

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 90V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1050CTHMNG

Част запас: 111

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 900mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF30L120CT C0G

Част запас: 136

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDU300/06PBF

Част запас: 883

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 230A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.96V @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ060HN3

Част запас: 69129

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 720mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P4C-M3/87A

Част запас: 192460

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 530mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH01HM3/87A

Част запас: 178462

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P6CHM3_A/I

Част запас: 183549

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 4A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CSH01HM3/86A

Част запас: 198211

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 940mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB3030CTL-M3

Част запас: 68901

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 470mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-48CTQ060STRR-M3

Част запас: 56322

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 610mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Comchip Technology

CDBD10100-G

Част запас: 135755

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 850mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Micro Commercial Co

MD36A16D1-BP

Част запас: 3149

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 36A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 100A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Rohm Semiconductor

DA228KFHT146

Част запас: 66

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

За желание

GeneSiC Semiconductor

MSRTA400120(A)

Част запас: 1232

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 400A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MSRTA500160(A)

Част запас: 811

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 500A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MSRTA400140(A)

Част запас: 1275

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 400A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Nexperia USA Inc.

PMEG3020CPASX

Част запас: 155154

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 440mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Panasonic Electronic Components

DA5S101K0R

Част запас: 131149

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

За желание