Диоди - Токоизправители - Масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 100

RB088BGE150TL

Част запас: 148

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 5A,

За желание

Rohm Semiconductor

RBQ20NS45AFHTL

Част запас: 143

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Rohm Semiconductor

RB706F-40T106

Част запас: 147318

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 370mV @ 1mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2008GHC0G

Част запас: 77

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L100CTHC0G

Част запас: 77

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 770mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

SRS20100 MNG

Част запас: 107

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

SR20150HC0G

Част запас: 89

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3090CTHC0G

Част запас: 162

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 90V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 940mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30100CT C0G

Част запас: 107

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 940mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1050 C0G

Част запас: 171

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1007GA C0G

Част запас: 91

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15100CTHMNG

Част запас: 83

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 7.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

SR16100PTHC0G

Част запас: 116

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 900mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2535CT C0G

Част запас: 110

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 850mV @ 25A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2060PTHC0G

Част запас: 168

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2008G C0G

Част запас: 74

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR40200PT C0G

Част запас: 124

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.01V @ 40A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20H150CT C0G

Част запас: 143

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 970mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CPQ050-N3

Част запас: 14974

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 680mV @ 40A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ060STRRHM3

Част запас: 75221

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 720mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2535CT-1-M3

Част запас: 91903

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 820mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10CSH01HM3/87A

Част запас: 130955

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 980V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ045-1-M3

Част запас: 115947

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 7.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 7.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P5CHM3_A/I

Част запас: 131008

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 4A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ045S-M3

Част запас: 86348

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 640mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2090CT-M3

Част запас: 92961

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 90V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ060SHM3

Част запас: 91192

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 720mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3CHM3_A/H

Част запас: 198632

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 4A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ045-1-M3

Част запас: 84739

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 640mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MSRT150160(A)

Част запас: 1872

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 150A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

STMicroelectronics

STTH16L06CGY-TR

Част запас: 150

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.08V @ 16A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

MBR3040FCTE3/TU

Част запас: 83345

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

MSCD36-08

Част запас: 161

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 36A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 100A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Panasonic Electronic Components

DB5H411K0L

Част запас: 134583

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Comchip Technology

CDBGBSC201200-G

Част запас: 86

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 25.9A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 10A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

За желание

Powerex Inc.

PD412611

Част запас: 157

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 2600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 1200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 3000A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание